摘要
傳統上利用離子輔助熱蒸鍍MgF2(ion-beam assisted deposition, IAD)都會使用氬氣(Ar)做為工作氣體，作為增加薄膜蒸鍍時的能量以改善膜層品質。然而在蒸鍍過程中,往往會有氟的喪失，造成所製鍍出的薄膜不是高品質的氟化鎂薄膜。因此我們嘗試使用六氟化硫(sulfur hexafluoride, SF6)做為工作氣體，它有著和氬氣一樣惰性氣體的優點，另外由於本身離子態所產生F(上標 -)可增加MgF2之膜質純度，進而提升膜層穿透率。
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無資料延伸閱讀
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