本論文分為兩大部分,第一部分將利用加熱蒸鍍 (thermal evaporation) 的方法,合成砷化鎵半導體奈米線,藉由改變溫度、壓力與攜帶氣體的比例等變因,來觀察對於合成的結果有何影響,試圖最佳化砷化鎵奈米線的合成品質。利用特定大小的奈米金屬做為催化劑,來控制合成的砷化鎵奈米線的直徑。這些奈米線配合專門的壓電極與量測電流的儀器,我們可以進行單根的電流電壓量測,提供將來電性上的應用空間。為了鑑定奈米線合成的品質好壞,論文中並且進行了一系列電子顯微鏡、元素分析、X-光繞射與電子繞射圖譜的分析,確定了奈米線的結構屬於砷化鎵zinc-blende的單晶結構。 第二部分則利用化學氣相沉積法 (chemical vapor deposition) 的方式,改進過去合成碳奈米螺旋線繩 (carbon helical nanowires) 的例子,合成出碳奈米螺旋線內摻雜矽奈米顆粒。為了比較與過去的差異,鑑定矽奈米顆粒的結晶情形,也觀察了其電子顯微影像與選區電子繞射圖譜 (selected area electron diffraction, SAED) 等分析過程。同時探討了合成過程各種條件,對於這些奈米螺旋線的影響。