結合多孔之二氧化矽與氮化鎵發光二極體合成近白光之研究

Nearly White Light Illumination from a GaN-Based Light Emitting Diode Integrated with a Porous SiO2 Layer

謝志豪(Chih-Hao Hsieh)

指導教授 ： 黃建璋

國立臺灣大學/電機資訊學院/光電工程學研究所/碩士(2006年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2006.00796

摘要

本研究中，我們使用多孔之二氧化矽薄膜當作紅光光源以及氮化鎵材料之藍/綠光發光二極體，整合成一個能發出近白光的元件。我們分別使用電漿輔助化學氣相沉積系統濕蝕刻以及電感耦合電漿離子蝕刻機以及熱退火形成一多孔之二氧化矽薄膜以及奈米晶矽，並且將其成長於發光二極體之N型平台上，紅光即可從這金屬-氧化物-半導體結構中藉由電子電洞於奈米晶矽複合而產生。在電壓加至14伏特以及16伏特之間時，我們可以發現近白光由此元件而產生，由此實驗的結果可以看出，由此種元件的組合而形成白光是相當具有潛力的。

關鍵字

白光 ； 發光二極體 ； 氮化鎵 ； 二氧化矽

並列摘要

In this research, we develop a nearly white light emitting device by integrating blue/green emission from a GaN based light emitting diode (LED) with red emission from a porous SiO2 layer. The porous SiO2 layer was fabricated by a novel process procedure to create Si nanocrystals on top of the n-type GaN layer. Red light is generated from the metal-oxide-semiconductor (Ni/Au–SiO2 oxide-n-type GaN) structure due to the electron-hole recombination in the Si nanocrystals. The device shows a blue light emission at a low biased voltage and nearly white light emission (green and red colors) at a bias voltage between 14V and 16V. Our results show the potential of applying such an integrated structure to white light illumination.

並列關鍵字

white light ； LED ； GaN ； SiO2

參考文獻

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