以ITO基板生長CdSSe量子點之研究

The study of the CdSSe quantum dots on ITO substrate

游志鴻(Chih-Hing Yu)

指導教授 ： 鄭振益

淡江大學/理學院/物理學系碩士班/碩士(2012年)

https://doi.org/10.6846/TKU.2012.00416

摘要

本論文主要內容是以ITO作為間隔層在玻璃基板上生長埋入式CdSSe量子點，以及觀察熱退火對其發光的影響。實驗內容包含觀察熱退火對ITO、CdSSe量子點之影響，並討論此過程，除此之外並觀察ITO對CdSSe量子點的最佳覆蓋率，進而作成三層量子點樣品，然後對其做光譜量測，其中CdSe量子點的光譜呈現藍位移現象，這跟量子點的尺寸有關，另外我們已可在室溫下觀察到CdSSe量子點的發光。

關鍵字

硒硫鎘 ； 發光 ； 熱壁式磊晶

並列摘要

We used the ITO film as the buffer layer to grow CdSSe quantum dots on glass substrate. And we also observed the annealing effects on CdSSe quantum dots light emitting. The first of all , we changed the thermal annealing temperature and time to find out the best process condition. Then we used the ITO as the capped layer to cover the CdSSe quantum dots. We can use the AFM to find out the best coverage of ITO.At last we observed the photoluminescence of ITO/CdSSe/ITO/glass heterostructure. Because of lattice dialation ,the photoluminescence of CdSe quantum dots has blue shift.

並列關鍵字

CdSSe ； photoluminescene ； Hot Wall Epitaxy

參考文獻

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