奈米接觸型蕭特基感測元件之分析與應用

Ultrahigh sensitivity ZnO nanosensor with Schottky nanojunction

傅惠君(Hui-Chun Fu)

指導教授 ： 葉炳宏

淡江大學/理學院/物理學系碩士班/碩士(2012年)

https://doi.org/10.6846/TKU.2012.00853

摘要

一維奈米結構已被證實為電性非常優越的材料，由於其表面積與體積比甚大，以及易操控之徑向傳導特性，故常應用於製作超靈敏的奈米感測元件。然而，為了獲得更高品質的感測效率，相關研究提出了不對稱的蕭特基接觸(Schhottky contract)感測元件，並廣泛運用於紫外光、氣體以及帶電生物分子的感測工作上面[1-3]，大幅度提升奈米感測元件的穩定性及靈敏度，其中半導體材料與金屬接面所形成蕭特基能障特性已廣泛被研究。
本研究將利用矽化鈷與氧化鋅奈米線作為蕭特基接面的金屬端與半導體端，藉由交叉排列使得金/半接面處以點接觸的方式形成蕭特基介面(point contact of schottky junction，PCSJ)，縮小其能障在接面區域的範圍進而研究金/半奈米蕭特基接面之特性並應用於紫外光與氣體的感測工作。利用PCSJ 感測元件對紫外光及氧氣進行研究的結果，我們成功的得到非常優越的感測效果。感測因子可高效調整PCSJ 的能障高度表現出超高的感測靈敏度，最重大的突破在於本研究能大幅縮減反應所需要的時間。此種新型奈米接觸型感測元件將大幅提高感測元件的效率，並廣泛運用於各種感測系統。

關鍵字

氧化鋅 ； 矽化鍺 ； 奈米線 ； 奈米元件 ； 紫外光感測 ； 氣體感測 ； 蕭特基接觸 ； 蕭特基能障

並列摘要

One-dimensional nanostructures have been demonstrated as
outstanding materials for fabricating ultrasensitive nanosensors .In order to obtain gigantic sensitivity, our
research team had proposed such a new mechanism, schottky-gate effect, Schottky-contacted device can enhance the sensitivity of nanosensor devices dramatically. In this
study, we deliberately introduce a point contact of nonsymmetrical Schottky junction (PCSJ). The sensitivity of
this new device can be greatly enhanced due to the nano
Schottky contact area. The signal sensitivity was more than
2500%, the response and reset time of UV sensing are less than 1s. This work will provide a new technology to design the nanodevice and nanosensor.

並列關鍵字

ZnO nanowires ； Schottky contact device ； nanosensor ； nanojunction.

參考文獻

[2] Te-Yu Wei, Ping-Hung Yeh Shih-Yuan Lu, and Zhong Lin Wang. J.AM.CHEM.SOC.VOL. 131, NO.48,17690-17695.(2009).

[7] S.M.Sze , Physics of semiconductor devices , p.31 , 2002.

[1] P.H.Yeh, Z.Li, and Z.L.Wang. Advanced Materials, 21,

4975-4978.(2009).

[3] Jun Zhou ,Yudong Gu, Youfan Hu, Wenjie Mai, Ping-Hung Yeh, Gang Bao,Ashok K. Sood,Dennis L. Polla, and Zhong Lin Wang. Applied Physics Letters 94, 191103.(2009)