LPCVD製程中晶圓與爐體之熱輻射分析

Analysis of Radiation in LPCVD Furnace — Wafer and Furnace

王育聖(Yu-Seng Wang)

指導教授 ： 林育才

元智大學/工程學院/機械工程學系/碩士(2000年)

摘要

低壓化學氣相沈積LPCVD為IC晶片製造的重要製程之一。與傳統加熱爐比較之下，由於高速加熱(RTP)反應爐有體積小、快速加熱、低耗能等降低成本的優勢，因此需要低壓且快速加熱的LPCVD製程會採用RTP反應爐為其加熱設備，不過在快速加熱的過程中晶圓表面溫度分佈的不均勻，常造成化學反應不均勻(如沈積、氧化等)與過強的熱應力，嚴重影響晶圓的品質。本研究將針對不同幾何型式之RTP反應爐體，進行分析不同之燈源配置對晶圓表面溫度分佈均勻性的影響，以改善LPCVD反應爐的設計，進而提升晶圓製程的品質。
結果顯示，不同型式之LPCVD反應爐內各種熱輻射效應包括反射、吸收及放射等行為，皆對晶圓表面熱通量的分佈有相當大的影響，進而影響晶圓表面溫度的均勻性。其中六邊形及矩形反應爐體可使晶圓表面有較均勻的熱通量分佈進而改善晶圓表面溫度分佈不均勻，增加每片晶圓可利用面積。

關鍵字

晶圓 ； 低壓化學氣相沈積 ； 熱輻射 ； 加熱爐體

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無資料

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wafer ； LPCVD ； RTP ； radiation ； furnace

參考文獻

〔13〕 黃新員“ 熱輻射在高速熱處理中對晶圓溫度之影響 ”元智大學機研所碩士論文,1997。

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〔14〕 謝宜樺“ LPCVD製程中之熱輻射分析 ’’元智大學機研所碩士論文,1998。

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