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學位論文
N型金氧半場效電晶體選擇性使用源汲極延伸摻雜做為Mask ROM與EEPROM之應用
Characterizations of n‐channel MOSFETs with Tailored Source/Drain Extension for Mask ROM and EEPROM Applications
陳原逢
指導教授 :
龔正
;
黃智方
國立清華大學/電機資訊學院/電子工程研究所/博士(2012年)
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因申請專利緣故,資料延後公開
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非揮發性記憶體
;
罩幕式唯讀記憶體
;
可電氣抹除可程式編碼唯讀記憶體
;
非重疊植入
;
淺淡摻雜
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NVM
;
Mask ROM
;
EEPROM
;
NOI
;
LDD
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延伸閱讀
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非重疊佈植N型金氧半場效電晶體通道熱電子注入效率之研究
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金屬氧化物/奈米碳材/聚吡咯奈米複材電極之製備與應用於高效能可撓式超級電容
〔碩士論文,國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU201704400
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利用電漿增強型原子層沉積技術製作前瞻性高介電材料於金氧半電容元件以及鰭式場效電晶體之研究
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N型橫向擴散金氧半場效電晶體之基板電流的探討與分析
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