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  • 學位論文

溶凝膠法製備鐵、鈮、鈦摻雜之鋯酸鉛鋇薄膜

Fe-, Nb-, and Ti-doped (Pb,Ba)ZrO3 thin film prepared by sol-gel process

指導教授 : 吳振名

摘要


本實驗以化學溶液溶凝膠法(sol-gel)在白金基板上成功鍍製平整緻密的鋯酸鉛鋇,(Pb0.6,Ba0.4)ZrO3 (PBZ)薄膜,並以鐵(Iron, Fe)、鈮(Niobium, Nb)、及鈦(Titanium, Ti)等元素作1%、5%、10%的摻雜。實驗中所選用的摻雜元素均為針對鋯位置的取代,除了摻雜元素種類及濃度的變化外,亦對熱處理溫度對薄膜性質的影響加以探討。 鐵元素的摻雜大幅改變了PBZ的微觀形貌,介電常數與調變值都得到大幅的改善,而因價數差異造成缺陷平衡的改變,使漏電流行為發生了改變;鈮元素的摻雜有效降低了散逸因子,同時調變值的提高使優異值(Figure of merit)非常優秀,漏電流對電場的行為亦非常穩定;而鈦元素雖然在鈦酸鉛鋇(PZT)中被認為是造成疲勞的主要原因,但對於PBZ的介電常數與調變值有很大的幫助,即使損失提高,但其優異值仍較摻雜前薄膜出色。

關鍵字

鋯酸鉛鋇 鐵摻雜 鈮摻雜 鈦摻雜 調變 鈣鈦礦 順電相

並列摘要


無資料

並列關鍵字

PBZ Fe-doped Nb-doped Ti-doped tunable paraelectric perovskite

參考文獻


[2] Mei-Hai Wu and Jenn-Ming Wu, “Lead barium zirconate perovskite films for electrically tunable applications”, Appl. Phys. Lett. 86, 022909 (2005)
[3] S. K. DEY et al., ”Microstructural and Dielectric Properties of High Permittivity (Pb, Ba) ZrO3 Thin Films by Sol-Gel Processing”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, p. L 921 (2000)
[4] J. H. Tseng and T. B. Wu, “Ferroelectric lead barium zirconate thin film of high fatigue resistance”, Appl. Phys. Lett., Vol. 78, No. 12, p.1721 (2001)
[5] Du et al. “Crystal orientation dependence of piezoelectric properties of lead zirconate titanate near the morphotropic phase boundary”, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, p.2421(1998)
[6] Park SE, Shrout TR, ”Ultrahigh strain and piezoelectric behavior in relaxor based ferroelectric single crystals” J. Appl. Phys. 82 (4), p.1804 (1997)

被引用紀錄


唐瑞顯(2010)。八週手持重物跳訓練對國中男生立定跳遠之影響〔博士論文,國立臺灣師範大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0021-1610201315193377

延伸閱讀