本實驗利用雙槍磁控濺鍍系統,成功鍍出具有強烈諧合成長(coherent growth)的尖晶石與鈣鈦礦2-2型積層薄膜。 CoFe2O4(CFO)由於表面自由能的關係,容易在Si基板上出現(111)的指向。本實驗利用這個特性,以BaTiO3(BTO)作為起始層,藉由控制CFO與BTO的堆疊週期,可調變BTO與CFO積層薄膜結構的指向。在相同總厚度下,當堆疊週期越高,也就是子層厚度越低的時候,薄膜結構趨向(111)指向。這證明了這兩種材料之間可以克服晶格常數的差異,彼此互相增強結晶性。利用穿透電子顯微鏡,本實驗成功觀察到BTO/CFO之間的諧合成長機制。 除了BTO之外,具有強鐵電性的Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)也與CFO整合在同一個結構中。PZT/CFO/PZT三層結構呈現非常整齊與規律的柱狀晶結構,且改變CFO的厚度並不會造成鐵電性的下降,這是因為CFO的阻值遠比PZT來得小的緣故。然而隨著CFO中間層的變薄,磁性卻下降得很快。這有可能因為PZT與CFO晶格常數差異帶來磁性的劣化。雖然如此,PZT/CFO/PZT仍然具有相當優異的抗漏電行為,以及良好的鐵電性與鐵磁性,是非常適合用來研究磁電耦合現象的結構。 過去,固定鐵電與鐵磁相比例下,學者盡可能的增加兩相的接觸面積,預期可以有較佳的磁電耦合現象。本實驗同樣利用2-2型PZT/CFO積層薄膜,在相同總膜厚下,改變堆疊週期,卻發現鐵電性與鐵磁性隨著堆疊週期的增加而下降。藉由掃描式穿透電子顯微鏡與X光能量色散光譜分析,本實驗發現PZT/CFO結構呈現大的角椎型柱狀晶結構,這樣的結構造成界面形貌的起伏非常大。除此之外,PZT/CFO晶格常數的差異也是可能造成鐵電性與鐵磁性下降的原因。尤有甚者,隨著堆疊週期增加而劣化的鐵電性與鐵磁性,也造成了磁電耦合係數的下降。