本研究中,我們提出利用紫外光照射輔助無電鍍鎳磷(Ni-P)奈米顆粒,作為合成奈米碳纖維催化劑,並於400 C溫度下合成奈米碳纖維,以作為未來積體電路內連線應用。 本研究以無電鍍方式,將尺寸約6-15 nm鎳磷奈米顆粒於28 C下析鍍於溝渠壁,以作為成長奈米碳纖維之催化劑用。此因無電鍍可提供一種催化劑沉積方式,其有能力於小尺寸之連接窗孔洞與SiO2溝渠內形成催化劑,以催化生成奈米碳管或是奈米碳纖維連線。然而,在此研究中,由於奈米碳纖維缺陷和排列不整齊的石墨層結構,使得奈米碳纖維連線電阻率偏高(0.357 ohm-cm),但相信經過進一步改進後,奈米碳纖維連線仍有其應用價值。此奈米碳纖維連線於製程上與現行積體電路製程有相容性,具備應用於未來全奈米碳結構連線之潛力。