本論文,先了解 本論文,先了解 本論文,先了解 MoS2、WSe2薄膜之光電特性,藉由製作 薄膜之光電特性,藉由製作 薄膜之光電特性,藉由製作 薄膜之光電特性,藉由製作 薄膜之光電特性,藉由製作 MSM結構 (金屬 -半導體 -金屬 ),來了解 ,來了解 MoS2、Wse2其光暗電流之差異 其光暗電流之差異 ,再進一步以 ,再進一步以 ,再進一步以 MoS2為感測薄膜,製作 感測薄膜,製作 感測薄膜,製作 MoS2/ST-quartz表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 表面聲波元件,透過網路分析儀量測及 頻譜分析儀量測 頻譜分析儀量測 。 首先 在 實驗中在 實驗中MoS2/quartz的基板製作 的基板製作 MSM並照射 532nm波長之光源, 波長之光源, 光源強度 0.89W/cm2,得到光暗電流差異超過 得到光暗電流差異超過 得到光暗電流差異超過 得到光暗電流差異超過 1個數量級 個數量級 ,而Wse2/quartz的 基板利用 100W 高強度365nm汞燈得到之光暗電流約一個數量級。而得到其光暗電流差異後,將其製作MoS2/ST-Quartz (delay line)表面聲波元件,透過網路分析儀量測出中心頻率為194.3MHz,插入損耗-22.668dB,經過電路匹配製作震盪板,頻譜分析儀量測 頻譜分析儀量測 頻譜分析儀量測 頻譜分析儀量測 中心頻率為 中心頻率為 194.3MHz,結合 532nm綠光雷射系統,以功率為 綠光雷射系統,以功率為 綠光雷射系統,以功率為 綠光雷射系統,以功率為 0.89W/cm2光源照射下得到頻率飄移量為 源照射下得到頻率飄移量為 源照射下得到頻率飄移量為 源照射下得到頻率飄移量為 11kHz, 此結果後進一步探討其響應時間 此結果後進一步探討其響應時間 此結果後進一步探討其響應時間 此結果後進一步探討其響應時間 此結果後進一步探討其響應時間
In this thesis, In order to verify the photoelectric properties of MoS2 and Wse2 films, the metal semiconductor metal (MSM) device was fabricated and the ratio of photo to dark currents was obtained. The network analyzer and spectrum analyzer was employed to measure the MoS2/ST-quartz SAW devices . MSM was fabricated on the MoS2/ST-quartz substrate and illumination with a light source of 532nm wavelength. The ratio of photo to dark currents was obtained. The network analyzer was employed to measure the MoS2/ST-quartz SAW devices to obtain the center frequency of 194.3MHz and insertion loss of -22.668dB. The oscillator was designed and fulfilled with network matching. The spectrum analyzer measurement shows that the center frequency is 194.3MHz and the average frequency shift is 11kHz under 532nm green laser system with power density of 0.89W/cm2, get this result to further explore its response time.