透過您的圖書館登入
IP:18.191.234.62
  • 學位論文

Rashba系統裡位壘穿隧的分析

analysis of barrier tunneling in a Rashba system

指導教授 : 張明哲
若您是本文的作者,可授權文章由華藝線上圖書館中協助推廣。

摘要


Rashba spin-orbital coupling發生於二維的三五族半導體系統中,是由於自旋-軌道偶合與缺乏空間反轉對稱所造成的,使得電子依自旋方向可分為兩個態λ+與λ-,所以我們將電子束縛於x-y平面,形成二維電子氣(2DEG),並以某角度射向有限位壘(V)。位壘內外皆有Rashba coupling的作用,位壘內外的Rashba coupling constant皆為α,計算分析當電子以λ-態對位壘穿隧時,位壘內共振的情形與電子對位壘的穿透率,反射率。

並列摘要


無資料

並列關鍵字

Rashba barrier tunneling

參考文獻


【6】陳穗斌、張慶瑞「自旋相關碰撞之電子傳輸描述」物理雙月刊廿六卷四期p.577~581
【12】Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, edited by D. D. Awschalom, D. Loss, and N. Samarth, in the series Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2002)
【17】G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and J. van Wees, Phys. Rev. B 62, R4790(2000)
【3】Gary A. Prinz “SPIN-POLARIZED TRANSPORT” PHYSICS TODAY(April 1995)
【4】Igor Zutic, Jaroslav Fabian, S. Das Sarma “ Spintronic : Fundamentals and applications” REVIEWS OF MODERN PHYSICS,VOLUME 76, April 2004

延伸閱讀