摘要 本文利用拉曼光譜儀來研究 晶體摻 雜質之濃度與聲子變化的關係。 從實驗數據分析中,我們看到摻 雜質之濃度對拉曼光譜聲子的半高寬及波峰位置的影響,其中主要類型有四種: (1). 波峰位置不隨摻 濃度改變,半高寬隨摻 濃度變大。 (2). 波峰位置隨摻 濃度向低頻移動,半高寬隨摻 濃度變大。 (3). 波峰位置隨摻 濃度向高頻移動,半高寬隨摻 濃度變大。 (4). 波峰位置不隨摻 濃度改變,半高寬先減後增。 我們發現溫度對波峰位置的影響很大,同時,溫度與摻 濃度均會對聲子造成耦合效應;當溫度升高或摻 濃度增加時,258 與279 ,322與335 ,580 與628 ,430 與445 會有合而為一的趨勢。 摻 雜質時,當 濃度在0~3mole% 時, 會取代 ,當濃度在3~5.5mole% 時, 會取代 ,在5.5mole% (threshold)之後, 只取代 ;在摻 之鈮酸鋰的半高寬變化方面,當 濃度在3~4mole% 與7mole%時有明顯不同,即其半高寬有很明顯之三段變化;而 與 均為二價,且 之陰電性比 高,所以我們推測在 濃度為0~3.5mole% 時, 先取代 ,3.5~7mole% 時, 同時取代 及 ,當7mole%(threshold)之後, 只能取代 。