本論文包含兩個研究方向,一為在Nikon偏光顯微鏡下觀察晶體的光學性質,並利用加熱台在偏光顯微鏡下給予晶體昇溫、降溫的熱變化,找出晶體的相變溫度,我們也觀察在升、降溫的過程中,晶體的相變途徑是否遵循同一路徑,升降溫時晶體相變溫度是否相同,降溫後晶體是否恢復原狀?以及在降溫後鐵彈性條紋出現的背後機制;另一方向為利用Hp4194阻抗分析儀探討晶體的介電性質,將晶體模擬為一R、C並聯電路,在不同頻率的外加交流電場作用下求出其介電常數、活化能、弛豫時間、導電係數等參數,並研究這些參數所對應的物理性質和溫度、頻率及晶體結構間背後所蘊藏物理意義。 本論文的方向主要針對硫酸鋰銫及硫酸鋰銨兩種晶體作研究,因為這兩種晶體結構類似,但因為晶體特性的影響 兩者晶體在光學性質和阻抗特性上有明顯不同的行為。我們以在光學性質上出現鐵彈性條紋變化的硫酸鋰銫晶體作光學分析對象,根據硫酸鋰銫晶體在偏光顯微鏡下的變化,計算晶體相變前後的鐵彈性邊界;在電性分析的部分,硫酸鋰銫晶體的阻抗值超出了分析儀器的測量範圍 我們以阻抗分析儀分析出硫酸鋰銨晶體的活化能的變化趨勢。