可溶性有機薄膜電晶體材料四丁基雙噻吩蒽衍生物之開發

soluble organic semicondutor materials - tetrabutylanthradithiophene derivatives

楊清豪(Ching-hao Yang)

指導教授 ： 陳銘洲

國立中央大學/理學院/化學系/碩士(2008年)

摘要

本篇論文重點在於合成出新的可溶性有機半導體系統，將Anthradithiophene (ADT)之2,3,7,8號位置接上四個碳之直鏈，使其溶解度提升，並藉由在ADT之5,11號位置接上含乙炔基之取代基，增加其穩定度。目前已開發出5,11-Bis(phenylethynyl)-2,3,7,8-tetrabutyl- anthradithiophene (BPE-TBADT )、5,11-Bis(thiophen-2-ylethynyl)- 2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene (BTE-TBADT)、5,11-Bis(thieno- [3,2-b]thiophen-5-ylethynyl)-2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene (BTTE-TBADT)三種可溶性有機半導體，並利用溶液製程製作有機場效電晶體之元件，三種材料皆為P型有機半導體，其中BPE-TBADT的載子移動率可達1.4*10-3 cm2 V-1 s-1。
元件製作的部分，由西北大學Tobin J. Marks實驗室協助製作，由於開發出之材料無法作蒸鍍，因此元件製作尚未找到最好條件，希望未來能對其晶體結構及製程條件做進一步的探討與改進。

關鍵字

噻吩蒽 ； 可溶性 ； 有機場效電晶體 ； 有機半導體

並列摘要

A new soluble organic semiconductor material system was investigated. The new system is based on 2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene (TBADT). Three new organic semiconductor materials: 5,11-Bis(phenylethynyl)-2,3,7,8-tetrabutyl-anthradithiophene (BPE-TBADT ), 5,11-Bis(thiophen-2-ylethynyl)- 2,3,7,8-tetrabutyl- anthradithiophene (BTE-TBADT), and 5,11-Bis(thieno- [3,2-b]thiophen- 5-ylethynyl)-2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene (BTTE-TBADT) were synthesized. All the materials exhibited as P-type semiconductors. BPE-TBADT shows with current mobility of 1.4*10-3 cm2 V-1 s-1, on/off ratio 5*103, and threshold voltage -8V.
The device fabrications of all the three materials are currently assisted by Tobin J. Marks group at Northwestern University, where the solution process will be examined. Hopefully, better mobility and easier fabrication will be obtained in the future.

並列關鍵字

anthradithiophene ； soluble ； organic semiconductor ； OTFT

參考文獻

莊哲維，可溶性有機薄膜電晶體材料五環素與雙?吩?分子衍生物之開發，中央大學化學所碩士論文，2007年。

江逸凡，寡聚?吩分子薄膜於不同基材表面的位向結構研究及其場效電晶體試製，國立中央大學化學研究所碩士論文，2006年。

(a) Singh, T. B.; Meghdadi, T.; Gunes, S.; Marjanovic, N.; Horowitz, G.; Lang, P.; Bauer, S.; Sariciftci, N. S. Adv. Mater. 2005, 17, 2315. (b) Singh, T. B.; Senkarabacak, P.; Sariciftci, N. S.; Tanda, A.; Lackner, C.; Hagelauer, R.; Horowitz, G. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 033512.

A. Tsumura, K. Koezuka and T. Ando, Appl. Phys. Lett., 1986, 49, 1210.

Cornil, J., Calbert, J. P.; Bre´das, J. L. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 1250.