熱探針法量測半導體摻雜濃度之探討

Study on Hot Probe Method for Estimate of Impurity Concentration in Semiconductor

修宇鋒(Yu-Feng Hsiou) ； 趙崇佑(Chong-You Zhao)

《蘭陽學報》 10期 (2011/06) Pp. 16-21

https://doi.org/10.6665/JLYIT.2011.10.16

摘要

我們發展了一種新的熱探針法應用來獲得主要載子濃度，一般的熱探針法僅運用於判別半導體載子的電性，我們發現可以藉由熱探針法量得的電壓配合理論上的簡化獲得摻雜濃度也就是異質半導體的主要載子濃度。

關鍵字

熱探針法 ； 半導體 ； 載子濃度

並列摘要

A novel approach to the ”hot probe method” is proposed in our work. The conventional hot probe characterization method enables only the definition of a semiconductor type, P or N, by identifying the majority charged carriers. According to the new Hot Probe technique, one can get the majority carrier concentration.

並列關鍵字

hot probe method ； semiconductor ； carrier concentration

參考文獻

李嗣涔、管傑雄、孫台平(1995)。半導體元件物理。臺灣:三民書局。

施敏、伍國鈺、張鼎張譯、劉柏村譯(2008)。半導體元件物理學。臺灣:國立交通大學出版社。

施敏、黃調元譯(2006)。半導體元件物理與製作技術。臺灣:國立交通大學出版社。

徐有欽(2003)。CuInSe2:Sb 複晶薄膜太陽能電池之研究(碩士論文)。國立中山大學材料所。

張茂男、潘扶民、張子云、吳柏偉(2000)。掃描電容顯微鏡技術簡介。2000 年8 月，取自http://www.ndl.org.tw/cht/ndlcomm/P7_3/26.htm