摘要
要改善III-nitride LED之發光效率其考慮方向不外乎改善內部量子效率(internal quantum efficiency)及光取出效率(light extraction efficiency)，就增加internal quantum efficiency方面，(a)載子注入效率的改善；(b)InGaN/GaN MQWs內部所存在之應力效應，最主要需克服InGaN/GaN壓電場效應及dislocation造成之影響，其localized state的形成或Quantum Dots LED的結構設計來增加其internal quantum efficiency；(c)LED結構設計，chip外型之改變將可提升light extraction rate從25%至60%，而使用表面粗操化技術將可提升light extraction rate至70%左右，而在其在output power方面將可有50%的增加。
並列摘要
To enhance output efficiency of nitride-based LEDs, we need to improve the internal quantum efficiency and to improve the light extraction efficiency. To improve the internal quantum efficiency, we can (a) improve carrier injection efficiency, (b) use localized state or quantum dots, (c) better design of LED structure. To improve the light extraction efficiency, we can use surface roughening technology to enhance to light extraction rate to around 70%.
延伸閱讀
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