41.(a) G. H. Gelinck, T. C. T. Genus, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 1487. (b) C. D. Sherraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, J. West, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088. (c) B. Crone, A. Dodabalapur, A. Gelperin, L. Torsi, H. E. Katz, A. J. Lovinger, Z. Bao, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2229.
56.P. Lang, R. Hajlaoui, F. Gamier, B. Desbat, T. Buffeteau, G. Horowitz, A. Yassar, J. Phys. Chem., 1995, 99, 5492. (b) G. Louarn, J. P. Buisson, S. Lefrant, and D. Fichou, J. Phys. Chem., 1995, 99, 11399.
23.H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Frined, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, D. M. de Leeuw, Nature, 1999, 401, 685.
1.(a) K. Xiao, Y. Liu, Y. Guo, G. Yu, L. Wan, D. Zhu, “Influence of self-assembly monolayers on ghe characteristics of copper phthalacyanine thin film transistor.”, Appl. Phys. A, 2003. (b) J. Cui, Q. L. Huang, Q. W. Wang, T. J. Marks, Langmuir, 2001, 17, 2051. (c) I. Kymissis, C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, IEEE Trans. Electron Devices, 2001, 48, 1060.