應用於電阻式記憶體之全透明氧化鋅薄膜

Resitive Switching of Transparent ZnO Thin Film for Memory Application

周育稔(Yuh-Reen Jou)

指導教授 ： 吳泰伯

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2010年)

摘要

本實驗以射頻磁控濺鍍法鍍製具 (002) 軸向的氧化鋅薄膜，搭配透明導電薄膜為上下電極，組成如電容的金屬/氧化層/金屬的三明治結構，嘗試完成一全透明電阻式記憶體，並觀察各結構的RRAM電阻轉換情形。
在金屬/氧化層/金屬中，以透明導電薄膜取代金屬，考慮透明導電薄膜電阻率：AZO電極須在鍍製時基板加熱具有較佳電阻率及穿透率；ITO在室溫鍍製即可具有良好電阻率。以上述導電薄膜為電極，製備AZO/ZnO/AZO、ITO/ZnO/ITO、Pt/ZnO/AZO結構，分別探討電極、氧化層、界面處分別對電阻轉換所造成影響。
利用此三種結構，發現界面對電阻轉換造成影響較大，使用具有高功函數Pt可具有較佳電阻轉換情形。

關鍵字

電阻式記憶體 ； 氧化鋅 ； 透明 ； AZO ； 非揮發

參考文獻

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