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因申請專利緣故，資料延後公開
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無資料延伸閱讀
- 簡維志（2015）。相變化記憶體的未來及展望。國家奈米元件實驗室奈米通訊，22(4)，7-11。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=1029502x-201512-201601210013-201601210013-7-11
- Lu, P. J. (2020). 應用於多位元卷積神經網路以基於高輸入精度計算單元6T靜態隨機存取記憶體之記憶體內運算架構 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0209202114064526
- Wang, Z. W. (2005). 新型一次寫入型記憶體之研究 [master's thesis, Chung Yuan Christian University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6840/cycu200500012
- 林明宗（2014）。非重疊離子佈植記憶元件之多階寫入與陣列驗證的研究〔碩士論文，中原大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6840/CYCU.2014.00019
- Cheng, H. Y. (2007). Materials Design for Phase-Change Memory [doctoral dissertation, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1206200714111860