本論文利用光柵波導結構(grating waveguide structure,GWS)產生的導模共振效應(guided mode resonance,GMR)加上含偶氮高分子(azo-coplymer)材料受到特定波長光源照射材料分子排列會發生改變,造成材料的折射率發生改變,造成GMR共振波長位置也發生了變化。本論文就是利用這個概念,將光儲存裝置完成。也因為此材料分子轉動具有可恢復性,可以利用一些方法,將材料的折射率變回與原本折射率相差無幾,並成功將原本儲存在光儲存裝置上的資訊給消除,之後若在利用適當光源配合金屬光罩,又可重新將字樣或是圖形儲存進光儲存元件,此過程是非破壞性的,當重複寫入及消除裝置內資訊時,不會破壞其薄膜平整性以及圖像的解析度。 除了利用GMR波長共振位置的概念完成光儲存裝置並觀察其圖像及分析。本論文也提出了以相位方法來觀察圖像並了解當光通過本實驗設計的樣品後產生的橢圓偏振特性,並利用此量出來的橢圓偏振特性結果比對實驗觀察圖像的結果,可以找出一個最佳化的圖像亮暗對比以及變化趨勢。