• 學位論文

鰭狀砷化銦鎵高載子遷移率電晶體之研究

引入半導體產業最重要的摩爾定律做為引子後，簡述半導體製造在各節點技術演進上，碰上對應的製程技術挑戰與如何克服之過程，以及藉由現今研究之趨勢，對未來10奈米以下節點技術發展做預測，同時簡單介紹何為短通道及窄通道效應。 本論文第一部分簡述三五族材料特性、高載子遷移率電晶體之發展歷史與現況，並提出鰭狀結構之高載子遷移率電晶體，透過TCAD進行模擬，並由模擬結果建立其閘極控制機制之理論，同時透過製程實作出元件並進行量測分析，可成功的以該理論解釋量測分析之結果。 第二部分簡述鐵電材料之材料特性，並以電路學與能量兩個不同角度切入解釋負電容之成因，透過製程實作出電容元件，並進行量測與分析，探討鐵電材料於不同結晶溫度下，在不同頻率下的電容電壓特性及漏電流特性，同時以電導法分析其介面特性，探討不同退火溫度對介面特性之影響。 第三部分簡述鐵電材料應用於電晶體之發展與其優缺點，以製程實作出元件，同時進行量測與分析，探討不同退火溫度對元件特性造成之影響，並以TCAD模擬，探討不同模擬條件下之元件特性，作為未來的改進方向。