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臺灣整車研發價值鏈策略與分析

臺灣汽車工業花了50年的努力終於能夠以自主研發品牌走向世界，這對臺灣汽車工業發展而言是一個重要里程碑。儘管過去幾十年來，臺灣整車製造工藝已臻於成熟，但是從無到有的整車研發卻才剛剛起步。相對於國外汽車生產與製造百餘年的歷史，臺灣汽車工業應如何發展出其國際競爭優勢？如何從其價值鏈分析的過程中提出具競爭優勢的經營策略？是本研究的主要目的。 本研究採用價值鏈的觀念與知識管理相結合，探討價值鏈中各活動與企業策略之關係，並進一步研究企業策略與價值鏈活動對競爭優勢之影響，期望能說明企業為了達到提昇核心競爭力而對其價值鏈活動所選擇的競爭策略。價值鏈與企業競爭策略息息相關，但卻無法根本解決提昇企業核心能力的問題。企業的核心競爭力是以知識的形式存在於企業的各活動中，只有將價值鏈管理的觀念結合知識管理的理論和方法，落實於企業的重要價值鏈活動中，以提高企業獲取及運用核心競爭力的知識能力，才能保持企業持續實現差異化策略的優勢。 本論文採個案研究的方式，針對裕隆集團華創車電的整車研發策略與價值鏈活動進行研究，並將理論與個案資料互相印證並提出建議。

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以價值鏈的觀點探討學生升學關鍵因素-以A高職為例

在台灣之技職教育體系原本是來配合產業的需求而設立，因此在技職教育上必須重視與產業發展的結合，在現今產業結構的快速變遷已是造成技職教育的最大衝擊，技職學校學生伴隨經濟成長急速增加，適時提供了經濟發展所需的人力，是台灣得以轉型至工業社會，促進經濟發展成功的主因之一。 而近年來技職學校招生狀況已面臨瓶頸，在少子化之影響部份高職專校招生不易，有許多的私立學校招生不足，甚至嚴重到招不到學生的情況，而影響私立學校招生不足的原因除了景氣不佳、失業率升高、人口數的減少也是其原因之一，在現今招生不足的情形不僅僅是發生在以往就面臨招生壓力的私校上，部分被視較有信譽的私校也面臨招生壓力，因此本研究旨在運用Porter在1985年所提出價值鏈觀點，進而發展學校招生價值鏈模式的構面指標，和運用模糊層級分析法(FAHP)做為本研究分析方法，逐步分析各構面和評估準則間權重關係，以探討提升學校招生效能之關鍵成功因素。

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TiO2、CuO奈米潤滑脂應用於氣壓缸之摩擦特性研究

本研究的目的為將TiO2、CuO奈米顆粒添加入潤滑脂(Grease)對於氣壓缸(pneumatic cylinder) 作動過程中氣壓缸內部之最大靜摩擦與動摩擦特性的分析。另一方面，利用G133往復式摩擦力量測設備，將不同重量百分比的奈米顆粒與潤滑脂合成，對鍍膜基材進行磨潤後，在進行往復運動之摩擦力測試。並利用場發射掃描式電子顯微鏡以及光學顯微鏡，觀察奈米潤滑脂的奈米顆粒形狀與試片表面磨耗之微觀結構型態。以能量分散光譜儀來分析對於試片摩擦表面產生的磨損及化合膜成份進行分析。本文之實驗中，分別對鍍膜基材進行給油及無給油的往復運動摩擦特性量測。透過實驗，得到在不同奈米顆粒重量百分比(wt%)之奈米潤滑脂的潤滑(lubrication)下鍍膜基材之摩擦力特性。此外，氣壓缸摩擦力分析實驗中，氣壓缸在不同奈米顆粒重量百分比(wt%)之奈米潤滑脂的潤滑(lubrication)件下之內部摩擦力特性結果顯示，添加CuO奈米顆粒於潤滑脂中能有效減少氣壓缸作動過程產生之磨擦力。實驗結果顯示，TiN鍍膜與添加CuO奈米顆粒於潤滑脂能有效減少往復摩擦作動過程產生之磨擦力。

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移動設備應用於腹式呼吸引導之研究

腹式呼吸短期訓練有助於改善焦慮、緊張、煩躁等緩和情緒的效果，長期訓練有助於氣喘、肺氣腫等慢性呼吸道疾病改善或調整，而腹式呼吸訓練大都經由指導人員以口令進行引導，長期而言相當耗費時間及人力，若自行訓練則經常忘記實施，效果大打折扣。 為了讓更多人能夠輕鬆的進行腹式呼吸訓練，考量到智慧型移動設備快速成長，本研究提出以目前熱門的Android手機及Windows手機二種移動裝置做為腹式呼吸訓練引導設備，並實際驗證系統可行性。 系統硬體主要由壓力擷取系統與藍芽傳輸系統組成，其運作原理為腹式呼吸時的腹部力量使腰帶帶動機構對壓力感測器進行擠壓，微處理器進行腹部壓力訊號擷取後，將壓力數據進行資料型態轉換，再傳送到手機端分析腹部壓力變化並顯示，手機端的自動調節機制會依使用者的呼吸情形將引導時間調節到適當的時間並以手機MP3音效做為引導音效。

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電流模式與界面活性劑對超臨界電鍍鎳鍍層之影響探討

超臨界為一種特殊的相態，透過溫度與壓力的控制，可使物質的性質介於液態與氣態之間，具有優於液體的傳輸性、滲透性，與具備氣體所沒有的溶解力等特點。近年來開始有研究者嘗試開發一種將超臨界二氧化碳的優點運用於電鍍之新製程，透過界面活性劑降低超臨界二氧化碳與電鍍液界面張力所形成的乳狀電鍍液來執行電鍍，其鍍層得到了晶粒較小、硬度較高、覆蓋性佳、低表面粗糙度與無針孔等優點。在本研究中成功重現並探討該製程在不同參數下的成效；而進一步嘗試改變參數再觀察其成效時，發現超臨界電鍍過程就算不加入界面活性劑，其鍍層也能得到一定程度的改善，且改用脈衝電鍍也對鍍層具有提升硬度、減小晶粒等效果。另外發現超臨界電鍍雖有眾多優點，但卻有內應力過高的缺點，所幸在高電流密度中可以將其降低。本論文將針對以上的研究進行分析並探討其成因。

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具張或壓應力CESL應變矽nMOSFET之特性分析與熱載子效應

CESL(接觸蝕刻停止層)應變技術，主要是藉由電晶體上沉積不同比例的氮化矽薄膜，利用所產生的張或壓應力，來間接使通道上的應力改變，提升載子遷移率，以達到增強電晶體的效能。 雖然已有文獻探討在不同CESL應變技術下對於nMOSFET效能的影響，但很少有對結合雙軸應變與CESL應變技術來進行探討。因此在本篇論文中，我們研究具有張或壓應力CESL在結合雙軸應變後，對於不同閘極長度下nMOSFET的效能影響，以及分析短通道時的熱載子效應。 隨著通道長度的縮短，藉由CESL技術對通道產生的應力，再結合雙軸應變的影響後，確實可讓通道拉伸的效果增加，因而提高nMOSFET的汲極電流，而具有壓應力CESL的nMOSFET，汲極電流也能有所改善。 本研究也針對具有不同CESL應變的nMOSFET進行了熱載子效應的可靠度測試，並推導其使用壽命模式及計算介面狀態(interface state)和氧化層陷入電荷(oxide trapped charge)的變化量。從實驗結果發現，具有CESL應變的元件，熱載子效應的劣化情況會比傳統元件要來得嚴重，推測與沉積不同比例的氮化矽薄膜有關係，因為在製程時，較容易會有額外的原子往通道區域擴散，經過熱載子效應的可靠度測試後，造成介面產生大量的缺陷，不論是室溫或高溫下，具有壓應力CESL的元件，劣化的程度都會最為嚴重。

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電場基礎模型與傳統熱載子壽命模型之比較

眾所週知，晶圓廠作MOSFET的通道熱載子(channel hot-carrier, CHC)可靠度測試時，都是在定電壓應力(constant voltage stress, CVS)的情況下，使元件特性提早劣化，並進一步評估其壽命，原因是為了縮短測試與評估元件良率的時間。而目前產業界，預測通道熱載子壽命則大多採用 1/V 模型來評估元件的壽命。 在本研究中，採用聯電65 nm製程，通道長度為是0.06 μm，寬度為10 μm，閘極氧化層為SiON，厚度為19.5 Å之nMOSFET作為實驗樣本，進行通道熱載子實驗。所有測試分別以25、50、85、100及125oC五個溫度進行。本研究也提出一個新的模型，考慮水平電場、垂直電場及溫度，提供電路CHC劣化與壽命的計算。經實驗後發現，在高溫及較高的CHC應力電壓下，元件劣化較為嚴重。而新的電場模型也成功地預測了元件的劣化情況，相較於傳統的1/V模型，擁有較佳的準確性。 本研究重要性在於能清楚告知晶圓廠或積體電路設計者，於操作電壓下不同通道長度的元件之壽命，並能更加準確地預測nMOSFET在CHC的劣化情形，這不僅可為產業縮短不少測試時間，更能提高預測的準確性及使用範圍。

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應用於RFID系統之圓極化天線設計

本論文主要著重於圓極化（circularly polarized）天線的設計，並應用於無線射頻辯識系統（RFID）。藉由天線商業模擬軟體HFSS的輔助與設計，可縮短天線製作時間，並以實做來進行驗證。首先，提出一方形印刷槽孔天線設計，利用一L型槽孔來達成電流微擾使其兩模態互相正交而構成圓極化，其中天線的饋入是使用槽縫的耦合來構成。接下來提出一蜿蜒式（meander line）的槽孔結構，此結構的磁流擾動可構成圓極化操作設計。再增加微調微帶殘段（tunning stub）的寬度可達到超頻寬的效果，並於饋入端箝入一小方形結構使阻抗匹配效果更佳。其阻抗頻寬和軸比頻寬分別可達41.6%和14.6%。此兩天線都適用於無線射頻辨識系統的頻段（860-960MHz），包含的頻段也可適用於其他國家的頻段使用。

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奈米應變MOSFET的覆蓋矽層與接面品質

重填SiGe源/汲極（source/drain）應變技術，是將pMOSFET施加壓應力，此技術利用矽與鍺原子的晶格常數不匹配，造成通道內的矽原子受擠壓產生應力，提升電洞遷移率，來增強電晶體的電流。 近年來的研究探討過SiGe源/汲極對不同閘極長度電晶體性能的影響，但探討元件的pn接面漏電流並不多。因此，本篇論文研究覆蓋矽層(Si-cap)厚度改變下，對於不同通道長度與寬度的接面漏電流，並同時看溫度效應下元件接面漏電流增加的程度。 經由本研究發現，nMOSFET的接面漏電流太大，基本特性超過工作範圍，其原因可能是太多缺陷在接面上，因此本篇論文不討論nMOSFET的接面問題。而pMOSFET的接面漏電流仍在可接受範圍內，所以是本研究的主要樣品。經由量測發現，越窄的通道寬度，接面漏電流也越小，猜測是受STI(淺溝槽絕緣)應力的影響，而且元件因溫度升高而漏電流越嚴重。在分析通道長度縮短下的接面漏電流後，發現在短通道的漏電流大於長通道，其原因為在製作小尺吋的元件時，重填SiGe源/汲極較難製作，容易有缺陷在接面上，因而使接面漏電流增加。而在不同厚度的覆蓋矽層影響下，厚度為39 Å的接面漏電流較嚴重。因為覆蓋矽層的矽與汲極端的矽鍺之間鍵結不好，並且覆蓋矽層的厚度越厚與汲極端接觸面積越大，接面上的缺陷較多。綜合以上的結論，理想的覆蓋矽層厚度應為24 Å，在此厚度下的應變元件，各方面的效能都比較好。

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以轉換功率之壽命模型預測交直流測試下的高溫熱載子劣化情形

長久以來，熱載子(hot-carrier, HC)效應一直是研究MOSFET元件劣化的重要議題，過去文獻多在描述直流(DC)測試下的熱載子壽命模型。然而，無論這些模型有多精準，也無法確切表達元件實際應用在交流(AC)電路下的劣化情形。因此本實驗以轉換功率(transformed power)的方式，研究並預測在交直流加壓測試下元件壽命之劣化情形。 實驗使用聯華電子公司(UMC)提供的65奈米製程晶圓，所研究的MOSFET元件通道長寬比為1 μm / 0.05 μm (N型)及1 μm / 0.06 μm (P型)。介電層為SiON，厚度19.5 Å。在25 ℃、85 ℃和125 ℃三種不同溫度下，進行DC與AC的通道熱載子實驗。此外同時考慮電壓、電流以及溫度的影響，提出修正後的功率轉換法，用以找出有關熱載子可靠度的交直流壽命。 由實驗結果顯示，不論N型或P型的MOSFET元件，以功率轉換的方式皆可成功描述元件劣化情形，因此可使用此模型做交直流測試下的壽命預測。其中，在低頻與高頻的交流測試下，隨著閘極提供的信號週期越長，雖然總轉換功率(Ptotal)不因頻率不同而有太大變化，但元件仍然呈現較為劣化的狀況。另一方面，由功率轉換模型的參數變化可得知，溫度升高源極功率(Psource)會降低而基極功率(Pbulk)會提升。而元件壽命的預測結果顯示，在高測試電壓下功率轉換模型較傳統模型樂觀，且在操作電壓下使用傳統模型預測可能會高估元件劣化情形。 本研究重要性在於，建立一個創新的壽命模型，且證明元件劣化至失效可視為總轉換功率的能量所導致。希望此研究成果可使晶圓廠或積體電路設計者接受從功率的觀點看待元件劣化情形，並能用於預測元件的交直流壽命。