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麥克風陣列技術應用於語音加強及語音辨認之研究

本論文提出一套語音加強流程，結合麥克風陣列技術、雜訊頻譜相減(Spectral Subtraction)和殘餘雜訊移除(Residual Noise Removal)方法來抑制噪音干擾，有效提升語音通話品質，並藉由結合語音辨識系統，驗證經此流程處理的語音訊號，具備有抗雜訊語音辨識的能力。 此語音加強流程簡述如下: 首先，計算出陣列裡各麥克風接收到語音的時間延遲，利用Delay and Sum Algorithm進行語音訊號組合，藉由組合完的語音訊號與離語者最近麥克風所接收的雜訊語音，進行訊號間相關性係數計算，判別出語音訊號裡雜訊(Noise)段落，而後進行噪音頻譜相減處理，最後經過RS (Residual Noise Estimation and Subtraction)方法，對殘餘雜訊進行頻譜相減的工作，將語音訊號中雜訊部份進一步抑制。

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應用曝光模擬系統以環形偏軸照明降低孤立線與密集線線寬偏差

當光學微影製程的最小圖形被推向比曝光波長還小的尺寸時，光學鄰近效應是一個最嚴重的問題。解決這問題的方法是使用光學鄰近修正或相位移光罩。然而，光學鄰近修正技術之關鍵取決於大量的光罩資料，而且製造零缺陷的相位移光罩不容易。雖然有不少人已經提出光學鄰近修正的方法以修正臨界尺寸誤差，但是光罩廠有製造光罩和檢驗光罩的困難。所以，如果可能的話較傾向不要用複雜的修正方法去減少臨界尺寸的變異。孤立線與密集線線寬偏差在 0.13 微米製程表現度的評估上變成關鍵的參數。為了改善解析度及聚焦深度，我們研究環形偏軸照明方法。將環形偏軸照明條件的最佳化以減少孤立線與密集線線寬偏差是必要的。照明的方法，投影透鏡的數值孔徑，相擾度可以改變孤立線與密集線線寬偏差。最後，在這照明方式的模擬分析，最佳的光學參數被選擇以獲得更高解析度及足夠的聚焦深度，尋找最佳製程條件以減少孤立線與密集線線寬偏差是有可能的。面對眾多的微影製程變因，不同製程相關參數之最佳化，將是微影製程成像技術成敗的關鍵。以電腦模擬配合田口實驗計劃法可經濟而有意義地面對眾多的變因進行研究。

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縮短TFT-LCD三代廠配向製程加工時間與靜電抑制之探討

在配向製程(Rubbing Process)中所生成的靜電是在第3代(3G，玻璃尺寸:550*670mm)薄膜液晶顯示器(TFT-LCD)面板廠的面板組裝(Cell)製程設備中所衍生的副效應之一。雖然目前靜電的問題已經可以由電路設計及加裝除靜電裝置等等來克服，但隨著產業間競爭的日趨激烈，對於如何提高產能、降低靜電的生成一直是產業間致力開發與研究的方向。 本論文主要探討如何縮短在Cell段配向製程中玻璃基板加工時間(Tact Time)及如何抑制靜電生成。首先，透過配向加工平台(Stage)升降桿(頂Pin)的動作參數之變更與設定來提昇加工速度，達到縮短加工時間及控管靜電值的目標。最佳升降桿動作參數組合的實際效能，可縮短加工時間(Tact Time)達2 sec而且達到配向製程Tact Time 40 sec的目標，最大靜電値更可控制在-2 Kv以內(規範-5 Kv以下)。再者，在抑制靜電生成的研究上，可經由控管配向製程時之溼度來降低製程中所產生之靜電值。當加濕器裝置設定於溼度70%時，靜電値幾乎達-1 Kv以下，即使以最短加工時間條件測試亦可在-3 Kv以下。

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液晶電視整合型電源供應器之研製

本論文為結合兩段式功率因數修正交流-直流轉換器和直流-交流換流器之研制，其中交流-直流轉換器部分，製作兩段式昇壓功率因數修正器，以150Vac輸入時為臨界點，於90~150Vac輸入時僅昇壓至230Vdc，150~264Vac輸入時才昇壓至400Vdc，以提昇傳統單段昇壓功率因數修正器在較低交流電壓輸入時之效率，並降低主要功率元件之溫度，本論文採用ST公司出產的邊界導通模式L6561 IC製作兩段式昇壓功率因數修正器以降低高頻電流諧波並提高額定功率及電力品質，搭配SG公司出產的SG6841 IC和PI公司出產的TOP263 IC以返馳式架構製作主電源直流-直流轉換器和待機電源直流-直流轉換器，設計待機電源於待機功率小於1瓦，以降低待機時之功率損耗。另外直流-交流換流器採用O2 Micro公司出產的OZ9939 IC，並將此IC適用的推挽式架構轉換為全橋式架構搭配串並聯諧振電路以降低切換開關之溫度，提昇整體效能，並嘗試採用1顆變壓器驅動3隻燈管搭配平衡電感做燈管電流平衡控制。 最後將交流-直流轉換器和直流-交流換流器整合於一PCB板以節省板材損耗和空間，並搭配奇美20吋6燈管的液晶電視面板作量測及探討，其中電源供應器輸入電壓為90~264Vac，燈管電流為6mA，交流-直流轉換器效率最高為83%，直流-交流轉換器效率最高為86%，整體最高效率為71.5%。

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銦錫氧化物薄膜表面處理改善 氮化鎵發光二極體之發光效率

銦錫氧化物(indium-tin-oxide，ITO)，薄膜具有極佳的導電性質，在可見光區具有高的透射率，在紅外光區具有高的反射性。因此，透明導電膜一直是學術界及工業界積極研究及分析的對象，它可以廣泛地被應用包括透明加熱元件、液晶顯示器、發光二極體以及電子，光學及光電裝置中的抗反射鏡和熱反射鏡。 在此研究中，針對氮化鎵發光二極體的銦錫氧化物薄膜進行表面處理，以期改善二極體之發光效率。首先利用電子槍蒸鍍技術將四分之一波長整數倍的ITO薄膜沉積在玻璃基板上，當此薄膜具有高的透射率和低的片電阻時，便可做為氮化鎵發光二極體中p-GaN層上的透明導電層。接著，使用化學溶劑來粗化ITO薄膜的表面粗度，以期改善氮化鎵發光二極體出射光的效率。 在量測方面，利用表面粗度儀(α-step)來測量ITO膜之厚度，以四點探針(our point probe)系統來量測片電阻。再利用光譜儀來分析位在400 nm到600 nm波長範圍內的透射率光譜，並以HP4155B來量測氮化鎵發光二極體樣品的I-V特性曲線，為了觀察ITO薄膜表面的微結構，利用AFM(atomic force microscope) 來觀察薄膜表面的形貌，並分析粗化的效果。實驗量度數據顯示，ITO薄膜粗化後，氮化鎵系列發光二極體出射光的效率大幅提升了。

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具同步整流與主動式功因修正半橋式諧振電源供應器之研製

本論文為具同步整流與主動式功因修正半橋式諧振電源供應器之研製，首先討論主動式功因修正器之動作原理，實現高功因，在交流轉直流方面提供半橋式諧振電源供應器作為穩定直流電源輸入。其次討論半橋式諧振電源供應器之動作原理，在切換過程達到零電壓切換，降低功率元件開關損失及切換應力，當定頻控制頻率跟隨諧振頻率，亦能在工作時效率保持著最佳狀態。接著討論同步整流的動作原理，在次級測使用MOSFET代替Schottky來做整流，可減少因輸出電流所造成的零件上功率損失。 最後，製作此電源供應器的架構在負載變動下實際量測及探討，其中電源供應器輸入電壓為 ，輸出電壓為 ，輸入電壓在 時，系統最高效率可達90.52%。

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光接收器次模組(ROSA)尋光對位系統之研發與自動化

在今日資訊快速成長的時代，光纖通訊正是解決頻寬需求的最佳方案之一。針對光接收器次模組(ROSA)封裝製程中，尋光對位製程為其極重要的一環，目前以人工尋光對位方式來進行生產，其生產能力已漸漸無法支應高接收靈敏度之次模組，對於未來高階或是高速光傳輸模組的開發，更是生產技術中一個瓶頸點。 本論文為了改善光接收器次模組(ROSA)封裝之尋光對位精確度，故以自動化尋光對位的方式來取代人力生產，研究開發出光接收器次模組(ROSA)尋光對位系統，並探討系統完成後對於生產良率改善與成效。

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具兩段主動式功因修正及兩段半橋式諧振電源供應器之研製

本論文為主動式功因修正器配合諧振式半橋電源供應器之研製，首先討論主動式功因修正器之動作原理，改善電壓變化量之大小，以實現高功因、高效率及低電流諧波，並將主動式功率因數修正電路設計為兩段式輸出電壓，以改善功率因數修正器之效率，在交流轉直流方面提供半橋諧振式電源供應器作為穩定直流電源輸入。其次討論半橋式諧振電源供應器之動作原理，在切換過程達到零電壓切換，並配合主動式功因修正之多段變化，進而改良半橋式電源，以配合輸入電壓源之變化而變化，設計為兩段式不同的一次側匝數比，並降低功率元件開關損失及切換應力，當變頻控制頻率跟隨諧振頻率，亦能在工作時效率保持著最佳狀態。 最後，製作此電源供應器電力系統，架構在負載變動下實際量測及探討兩段式架構，其中電源供應器輸入電壓為90Vac~264Vac，PFC輸出電壓為250Vdc / 400 Vdc ，半橋轉換後輸出電壓為 5 Vdc /5A，12 Vdc /5A，24 Vdc /11A，實驗結果顯示出最佳化效率並改進整體系統在低輸入電壓時之線路溫度熱平衡。

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智慧家庭遠端監控研究與實現

本研究論文主要是研究如何使用可程式邏輯控制器(Programmable Logic Controller)作平台，與網際網路(Internet)、區域網路(Ethernet)及無線網路(Wireless)做連結，將家中設備做整合。做成可自動化控制的系統( Automatic control system)，與設計一套屬於自己家中所需的消防系統與保全系統，將三系統整合為一，且可透過網路做連線，形成一個可遠端監視與控制的系統，使人們只要在有網路的地方隨時可上網連線此系統，對家中的現況、設備做監視與控制，以消除距離上之限制，強化家庭自動化功能，達成建立一個智慧家庭的目標。

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具有可適性模式轉換機制之高效率電流式直流對直流轉換器

本篇論文提出一個具有可適性模式轉換機制之高效率電流式直流對直流轉換器。利用電流感測器的技術，依據負載電流大小而操作在連續導通模式與不連續導通模式間切換之可適性模式轉換機制，使其在不同應用之下皆可達到很高的轉換效率。而為了增加彈性，此模式轉換的基準電流可依據不同的應用以數位方式調整。本篇論文亦提出功率消耗及轉換效率之分析與討論。根據模擬的結果，此直流對直流轉換器的效率高達94%，且最大輸出漣波電壓在20毫伏以下，而輸出電流範圍在50mA到350mA之間。在輸入電壓範圍在2.4V到4.2V之間，直流對直流轉換器之操作頻率為0.3到1.7百萬兆赫。此直流對直流轉換器以TSMC 0.35-um 2P4M CMOS製程實現，晶片大小為2.07mm2。除了外接之電感、電容及回授之電阻，包含功率電晶體及所有的元件都在晶片之中。