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鈉鉀離子交換波導之製作及其表面消逝波之研究

本論文在探討消逝波在鈉鉀離子交換波導表面的分佈情形，並進一步研究金奈米粒 子受波導表面消逝波推動時的運動情形。 在實驗上，我們利用Rsoft 軟體模擬不同波導參數下的模態數及模場空間分佈，進一步分析波導表面消逝波與波導尺寸的關係。接著利用模擬結果實際製做鈉鉀離子交換 波導，製做完成後分別對波導進行波導的光學特性量測，以及利用近場掃描光學顯微鏡 來量測分析波導表面消逝波的分佈。最後再以532nm 的綠光雷射導入波導，觀察波導表面的金奈米粒子的運動情形，分析CCD 連續拍攝的結果，發現金團簇移動的速度可達317.94μm/sec。

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利用ECR-CVD成長氫化氧化矽薄膜之研製與應用

本研究以電子迴旋氣相沉積法(ECR-CVD)來討論氫化氧化矽(SiOX:H)薄膜的特性與在矽晶異質介面太陽電池上的應用。ECR-CVD 屬於高電漿密度的薄膜沉積製程設備，主要是以磁場內的電子迴轉角頻率和入射微波頻率相同產生共振時的能量吸收轉化來使製程氣體解離產生高密度電漿。ECR-CVD相較於傳統的PE-EVD有沉積速率較快速、低離子轟擊、無電極汙染、較高的氣體使用率…等優勢。 此研究將分析利用ECR-CVD所致製備之SiOX:H薄膜的光學能隙、可見光之穿透率、薄膜之氧含量、光敏感度…等性質，並詳細敘述氫化氧化矽薄膜中氧含量將如何影響其光電特性。最後再將SiOX:H薄膜研究結果應用在HJ太陽電池上，並針對氫氣和B2H6兩項參數做優化，得到其太陽電池的轉換效率(η)=8.19%；開路電壓(Voc) =530.5mV；短路電流(Jsc)=25.87；填充因子( FF)=59.68%