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Selective-tracing Waveform Relaxation Algorithm and Its Application in Incremental Circuit Simulation

本論文討論應用走訪鬆弛演算法(STWR Algorithm)於大型電路模擬，討論的重點在於加強演算法以處理難以模擬的迴授電路的技術，以及近一步進行漸增模擬；所提出的技術解決了STWR難以處理迴授電路的缺點，新提出的漸增模擬演算法也是性能突出，較舊有的做法更有效率。所有新方法都加以實做於線路模擬器MOSTIME中，且實際模擬了許多大型電路，驗證其效能。

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信號處理硬體實現之研究－寬景攝影實現

隨著數位化的進步，人們用來紀錄周遭生活事物的工具種類變得愈來愈多。由於軟硬體開發技術的成熟以及生活上的便利需求，行動裝置的功能需求變得愈來愈多樣化。就硬體的觀點而言，過去文獻很少提到有關硬體實現影像接合之架構，目前大部分的影像接合研究僅僅在電腦軟體上處理，較少以硬體來實現。 本研究藉由Lyrtech公司的SignalWAVe開發平台，以德州儀器公司TMS320C6713BGDP255之DSP晶片，提出一個以基本的區塊比對方式，並配合相關係數之計算，以硬體實現接合數位影像之技術，發展成可攜性高的IC晶片。希望未來此IC晶片可適用在手機或數位相機上。

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紅外線無線音樂鍵盤

本論文是實現一個無鍵盤電子琴系統，主要是藉由多媒體影音平台並利用硬體描述語言HDL編寫音樂發聲電子電路與鍵盤觸控LCD顯示系統。鍵盤輸入的部份是利用多顆紅外線接收裝置，以光遮罩的方式，透過多媒體平台硬體輸入介面，以程式語言來模擬鍵盤的彈奏，同時傳輸至相對應的發聲與顯示系統，其結果我們創造出一個多媒體無線電子琴系統(Wireless Keyboard System)。

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鋰電池放電行為高斯－多項式的三角函數溫度模型

本研究在改善高斯多項式的近似模型，將其由固定溫度固定負載延伸為任意溫度固定負載的模型，此模型的溫度參數是利用三角函數來實現，是基於任意波形、任意函數，皆可由數個三角函數組合而成。此溫度模型可使原需記憶的參數筆數減少，由固定負載下五個不同的操作溫度所需的25個參數，減為20個參數，此模型更可預測固定負載下任意溫度的放電曲線。由本模型在電池放電的中、末期所預測出的電壓和實際電壓誤差都在0.1V以內，再從放電量所占總電容量的百分比來看，誤差則均小於4.2%。在放電初期雖然誤差不小，但使用者在乎的是，還剩多少電池容量可供使用，而非已使用了多少電量。所以，對於電池放電後段行為的瞭解，遠比放電前段的描述更為重要。我們提出的三角函數模型簡化了先前的多項式模型且可適用於不同的溫度。

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期貨業網路下單安全性與案例探討

網路線上交易已迅速改變了全球交易人的習慣。近十年來我國期貨市場適逄網際網路技術開始薘博發展，使用網路下單的比例有逐年增加的趨勢，改變了傳統的透過營業員的交易方式。另一方面，由於駭客入侵工具的功能日益增強，造成了線路中斷、帳戶被盜用，網站安全及交易內容遭篡改等資訊安全問題，造成網路下單安全性的威脅。本文擬對現行網路下單安全性技術作一番探討，並提出如何提昇其安全性的具體作法，以減少敝端的發生。

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PP/mPE/clay水交聯奈米複合材料之製備與性質研究

本研究中PP/Metallocene polyethylene/clay奈米複合材料(PP/mPE/clay)之製備，使用DCP(Dicumyl peroide)為起始劑，DBTL (Dibutyin Dilaurate)作為催化劑，VTEOS (Vinyl Triethoxy Silane)當交聯劑，在混煉機中先進行mPE接枝矽烷交聯劑，再和clay掺混，然後與PP進行掺混，最後熱壓成薄片，以70℃水浴進行水交聯。奈米複合材料掺入比例以mPE為100 phr，clay為2、5、9 phr，觀察添加不同clay比例時交聯和未交聯對材料的機械性質，熱性質和微觀構造的影響。

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利用貝氏定理濾波器偵測皮膚

檢測對於現代科技生活非常熱門，而這篇文章裡我們對於皮膚的檢測，是利用統計上的貝氏定理的模型(model)來檢測皮膚，分出是皮膚的部分或非皮膚的部分，這是目前非常有效而且也很準確的方法。首先我們收集許多臉部的照片，並是先區分出皮膚與非皮膚的部分，這個動作我們稱之完全認知(global knowledge)，然後將模型所有的數學符號都以相對應的物理量來解釋，並利用MATLAB程式語言，統計及計算出所有機率值，而這些數值都將儲存起來當作參考資料，並以這些資料建構貝氏濾波器。新的照片利用此模型計算後，來做比較，歸納判斷出照片中皮膚與非皮膚的部位；結果顯示判斷與真實的數值吻合，亦接近我們所期待的結果。根據此初步研究的結果，我們計畫未來將加上其他的條件來增加此濾波器的準確性。

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以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討

當CMOS元件縮減到奈米尺寸的等級之後，利用複晶矽(poly-Silicon)作為CMOS元件之閘極主要材料的技術已經遇到了一個瓶頸，因為高阻值及閘極空乏效應變成很大的問題，所以必須找尋新的材料來取代複晶矽，而使用金屬閘極，可能是唯一的解決辦法，金屬閘極具有低電阻的特性，而且不會產生空乏效應，但是因為目前金屬閘極仍然有許多問題有待克服，目前利用與金屬閘極特性最為接近的矽化鎳(NiSi)矽化金屬替代金屬閘極。本專題研究當CMOS在不同閘極長度下，利用新的閘極材料(NiSi)取代傳統複晶矽(poly-Silicon)，閘極氧化層材料仍為現今常用之二氧化矽(SiO2)材料，藉由改變其閘極通道長度來探討對元件的特性影響。研究中使用ISE-TCAD這套軟體來做元件模擬，將完全矽化鎳閘極來取代金屬閘極來做模擬，從而得知改變後所產生的不同特性，從改變金屬閘極與電壓的方式對元件性能的提升，得知能否有效改善原本金屬閘極多損耗並與高介電常數(high-k)材料不相容等問題。

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以中國典藏藝術創意紋飾織品設計之研究－以玉器、瓷雕為例

本研究之創作作品是採用中國歷史之典藏藝術為基礎，將其蘊藏的文化風格與意涵予以啟迪轉化，並以藝術品之表現技法與新素材為探討對象，並以現代熱轉移無版印花為輔助技術，將其特色與精神意涵充份發揮於現代服飾織品設計與生活創意作品上，並探討中國藝術品表現於現代色彩及紡織品設計應用發展之可行性。由實驗結果顯示，結合中國典藏藝術品玉器、瓷器雕花之歷史文化為基礎，進行現代服飾織品設計與生活創意作品頗受歡迎，足見中國藝術品表現於現代色彩及紡織品設計之應用發展可行性極高。

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閘極氧化層以鉿化合物取代二氧化矽之CMOS元件特性探討

本專題研究就是利用CMOS元件模擬，當閘極長度為90nm時，使用含鉿(Hafnium)的high-k材料閘極氧化層，探討high-k材料與二氧化矽(SiO2)間的比較，藉由不同的特性如：Id-Vg、Id-Vd及C-Vg。傳統的二氧化矽(SiO2)閘極氧化層在90nm 以下會慢慢出現一些問題，在閘極長度越來越小時，閘極氧化層厚度也會越來越小，因此當閘極氧化層厚度逐漸降低會使得漏電流變大，此時就會產生所謂的電流穿透現象(tunneling effect)。本實驗使用ISE-TCAD這套軟體來做元件模擬，將傳統的閘極氧化層材料二氧化矽(SiO2)改成高介電常數(high-k)的材料來做模擬，並且改變閘極氧化層厚度，從而得知改變後所產生的不同特性，由改變閘極氧化層材料與閘極電壓的方式對元件性能的提升，得知是否有效改善漏電流的問題。鉿化合物用來取代原先半導體上常用的二氧化矽絕緣材料，可大幅減低其晶片厚度，使用後可以讓摩爾定律的失效期繼續延後。