高功率氮化鎵電晶體研究

Study of High Voltage GaN Transistors

張翼 ； 張嘉華 ； 林岳欽 ； 謝廷恩 ； 陳宥綱 ； 黃祿哲

《國家奈米元件實驗室奈米通訊》 17卷4期 (2010/12) Pp. 32-36

https://doi.org/10.29913/NDLC.201012.0006

摘要

氮化鎵電晶體由於具有高輸出功率、高崩潰電壓、高載子濃度及耐高溫等優良特性，近年來已被廣泛應用於高功率元件中。本文主要目的在於探討現今熱門之氮化鎵電晶體技術及其應用範圍，包含射頻功率電晶體及直流功率轉換電晶體，期能提供未來超高功率元件應用之參考。

關鍵字

高壓 ； 氮化鎵 ； 寬能隙 ； 電晶體

並列摘要

GaN transistor has been widely used in high power devices due to its superior characteristics of high output power, high breakdown voltage, high carrier concentration, and high temperature stability. The article mainly discusses the GaN transistor technology including RF power transistors and DC power switching transistors for further application in ultra-high power devices.

並列關鍵字

High Voltage ； GaN ； Wide Bandgap ； Transistors