Title

非極性氮化銦薄膜之磊晶成長與物性分析

Translated Titles

Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Nonpolar InN Films

Authors

洪育良

Key Words

氮化銦 ; 極化率 ; 光致極化光 ; 殘餘應力 ; Indium nitride ; polarization ; photoluminescence ; strain

PublicationName

清華大學物理學系學位論文

Volume or Term/Year and Month of Publication

2013年

Academic Degree Category

博士

Advisor

果尚志

Content Language

英文

Chinese Abstract

本論文中分子束磊晶成長方法被應用在三五族氮化物的異質磊晶成長,其中以高品質的非極性氮化銦薄膜之基本物性為主要研究。對於非極性氮化銦薄膜的表面形貌,晶格結構和光學性質提出詳細的分析,說明樣品的高品質結構。目前以wurtzite結構的非極性三五族氮化物來說,由於c軸平躺在in-plane上的緣故,使得薄膜有非等向異性的光學和結構特性。因為氮化銦薄膜和藍寶石基版之間的晶格不匹配和熱膨脹係數差異極大,會有非等向異性的應力產生。在光致發光極化方面,光譜峰值位置和強度取決於wurtzite結構中c軸相對應方位關係。在變溫實驗中,隨著溫度變化會有著相對應的殘餘應力產生,影響氮化銦的電子能帶結構,造成極化率隨溫度的改變。最大極化率發生在低溫下,隨著溫度的增加而逐漸減小。此外,在雙軸的殘餘應力下,造成帶間躍遷中有價帶分裂的情形,影響氮化銦的峰值能量位移與諧振子強度是隨之改變的。最後,利用k‧p近似理論完整地,把應力修改的電子能帶結構之峰值能量位移與諧振子強度隨著溫度變化,可以跟實驗上測量出的光致極化光做詳細的分析與研究。

Topic Category 基礎與應用科學 > 物理
理學院 > 物理學系
Reference
  1. Chapter 1
    連結:
  2. [1-2] V. Fiorentini, F. Bernardini, and F. Sala Della, Phys. Rev. B 60, 8849 (1999).
    連結:
  3. [1-3] B. Monemar and G. Pozina, Prog. Quant. Electron. 24,239 (2000).
    連結:
  4. [1-7] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991).
    連結:
  5. [1-8] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).
    連結:
  6. [1-9] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
    連結:
  7. [1-10] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
    連結:
  8. [1-14] K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999)
    連結:
  9. [1-18] V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, and P. Lugli, Phys. Rev. B 60, 8849 (1999).
    連結:
  10. [1-23] R. M. Farrell, D. F. Feezell, M. C. Schmidt, D. A. Haeger, K. M. Kelchner, K. Iso, H. Yamada, M. Saito,K. Fujito, D. A. Cohen, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part2 46, L761 (2007).
    連結:
  11. [1-24] J. F. Nye, Physical Properties of Crystals Their Representation by Tensors and Matrices (Oxford University Press, New York, 1985).
    連結:
  12. [1-25] T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 39, 413 (2000).
    連結:
  13. [1-26] M. Sano and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 1943 (1976).
    連結:
  14. [1-27] P. Waltereit, O. Brandt and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 75, 2029 (1999).
    連結:
  15. [1-30] T. Sasaki and S. Zembutsu, J. Appl. Phys. 61, 2533(1987).
    連結:
  16. [1-31] H. M. Ng, Appl. Phys. Lett. 80, 4369(2002).
    連結:
  17. [1-36] R. Armitage, Q. Yang and E. R. Weber, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 8, 6 (2003).
    連結:
  18. [1-42] J. Bhattacharyya and S. Ghosh, Phys. Stat. Sol. (a) 204, 439 (2007).
    連結:
  19. [1-55] G. Steinhoff, M. Hermann, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 177 (2003).
    連結:
  20. [1-56] R. Neuberger, G. Müller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 85 (2001).
    連結:
  21. [1-60] B. S. Kang, H. T. Wang, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 104, 031101 (2008).
    連結:
  22. [1-61] C.-F. Chen, C.-L. Wu, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 89, 252109 (2006).
    連結:
  23. [1-62] Y.-S. Lu, C.-C. Huang, J. A. Yeh, C.-F. Chen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 91, 202109 (2007).
    連結:
  24. [3-1] R. Juza and H. Hahn, Z. Anorg. Alleg. Chem. 239, 282 (1938).
    連結:
  25. [3-6] K. Xu and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 83, 251 (2003).
    連結:
  26. [3-7] S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T. M. Hsu, J.-S. Wang, and J.-T. Hsu, Appl. Phys. Lett. 84, 3765 (2004).
    連結:
  27. [3-15] V. E. Henrich, Rep. Prog. Phys. 48, 1481 (1985).
    連結:
  28. [3-22] M. Marezio, Acta Crystallogr. A 18, 481(1965).
    連結:
  29. [3-23] M. A. L. Johnson, W. C. Hughes, W. H. Rowland, J. W. Cook, J. F. Schetzina, M. Leonard, H. S. Kong, J. A. Edmond and J. Zavada, J. Cryst. Growth 175, 72 (1997)
    連結:
  30. [3-26] B. Chai, private communication.
    連結:
  31. [4-2] J. Bhattacharyya and S. Ghosh, Phys. Stat. Sol. (a) 204, 439 (2007).
    連結:
  32. [4-8] E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
    連結:
  33. [4-9] L. C. de Carvalho, A. Schleife, F. Fuchs, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 97, 232101 (2010)
    連結:
  34. [4-11] M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 35, 543 (1996).
    連結:
  35. [4-12] M. Suzuki and T. Uenoyama, Group III Nitride Semiconductor Compounds (Clarendon, Oxford, 1998).
    連結:
  36. [4-17] M. Suzuki and T. Uenoyama. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 543 (1996).
    連結:
  37. [4-20] B. Cockayne and B. Lent, J. Cryst. Growth 54, 546 (1981).
    連結:
  38. [4-22] S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
    連結:
  39. Chapter 5
    連結:
  40. [5-2] V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, and P. Lugli, Phys. Rev. B 60, 8849 (1999).
    連結:
  41. [5-9] M.C. Schmidt, K. C. Kim, R. M. Farrell, D. F. Feezell, D. A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. BenBaars, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 46, L190 (2007).
    連結:
  42. [5-16] J. Bhattacharyya and S. Ghosh, Phys. Stat. Sol. A 204, 439 (2007).
    連結:
  43. [5-21] Y.-S. Lu, Y.-H. Chang, Y.-L. Hong, H.-M. Lee, S. Gwo, and J. A. Yeh, Appl. Phys. Lett. 95, 102104 (2009).
    連結:
  44. [5-22] S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T. M. Hsu, J.-S. Wang, and J.-T. Hsu, Appl. Phys. Lett. 84, 3765 (2004).
    連結:
  45. [5-28] K. Wang and R. R. Reeber, Appl. Phys. Lett. 79, 1602 (2001).
    連結:
  46. [5-30] M. Sato, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 36, L658 (1997).
    連結:
  47. Reference
  48. [1-1] F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
  49. [1-4] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
  50. [1-5] R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B, Condens. Matter 4, 1211 (1971).
  51. [1-6] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
  52. [1-11] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
  53. [1-12] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
  54. [1-13] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
  55. [1-15] H.-W. Lin, Y.-J. Lu, H.-Y. Chen, H.-M. Lee, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 97, 073101 (2010).
  56. [1-16] J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 94, 4457 (2002).
  57. [1-17] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
  58. [1-19] N. F. Gardner, J. C. Kim, J. J. Wierer, Y. C. Shen, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 86, 111101 (2005).
  59. [1-20] K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu, J. Ichihara, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. Part2 46, L187 (2007).
  60. [1-21] T. Koyama, T. Onuma, H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, T. Sota, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 89, 091906 (2006).
  61. [1-22] K. Okamoto, J. Kashiwagi, T. Tanaka, and M. Kubota, Appl. Phys. Lett. 94, 071105 (2009).
  62. [1-28] K. Dovidenko, S. Oktyabrsky and J. Narayan, J. Appl. Phys. 82, 4296 (1997).
  63. [1-29] M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 1201 (2002).
  64. [1-32] H. Lu, W. J. Schaff, L. Eastman, et al. Appl. Phys. Lett. 83, 1136(2003).
  65. [1-33] C. Q. Chen, V. Adivarahan, J. W. Yang et al., Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1039 (2003).
  66. [1-34] A. Chitnis, C. Chen, V. Adivarahan et al., Appl. Phys. Lett. 84, 3663 (2004).
  67. [1-35] B. A. Haskell, T. J. Baker, M. B. McLaurin et al., J. Electron. Mater. 34, 357 (2005).
  68. [1-37] C. Rivera, J. L. Pau, E. Munoz, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Let. 88, 213507(2006).
  69. [1-38] S. Ghosh, C. Rivera, J. L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, and H. T. Grahn, Appl. Phys. Let. 90, 091110 (2007).
  70. [1-39] R. Goldhahn, P. Schley, A.T. Winzer, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, H. Lu, and W.J. Schaff, J. Crys. Growth, 288, 273 (2006).
  71. [1-40] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002)
  72. [1-41] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 413(2002).
  73. [1-43] J. Bhattacharyya, S. Ghosh, M. R. Gokhale, B. M. Arora, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 89, 151910 (2006).
  74. [1-44] K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, T. Kimura, K. Kawashima, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Stat. Sol. (a) 207, 1356 (2010).
  75. [1-45] B. Liu, R. Zhang, Z. L. Xie, J. Y. Kong, J. Yao, Q. J. Liu, Z. Zhang, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, P. Han, Y. Shi, Y. D. Zheng, S. M. Zhou, and G. Edwards, Appl. Phys. Lett. 92, 261906 (2008).
  76. [1-46] C. Rivera, P. Misra, J. L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 101, 053527 (2007).
  77. [1-47] R. Acsazubi, I. Wilke, K. Denniston, H. L. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 4810 (2004).
  78. [1-48] B. Pradarutti, G. Matthäus, C. Brückner, S. Riehemann, G. Notni, S. Nolti, V. Cimalla, V. Lebedev, O. Ambacher, and A. Tünnermann, Proc. SPIE 6194, 619401 (2006).
  79. [1-49] V. Cimalla, B. Pradarutti, G. Matthäus, C. Brückner, S. Riehemann, G. Notni, S. Nolte, A. Tünnermann, V. Lebedev, and O. Ambacher, Phys. Status Solidi B 244, 1829 (2007).
  80. [1-50] G. D. Chern, E. D. Readinger, H. Shen, M. Wraback, C. S. Gallinat, G. Koblmuller, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 89, 141115 (2006).
  81. [1-51] H. Ahn, Y.-P. Ku, Y.-C. Wang, C.-H. Chuang, S. Gwo, and C.-L. Pan, Appl. Phys. Lett. 91, 132108 (2007).
  82. [1-52] D. Segev and C. G. Van de Walle, Europhys. Lett. 76, 305 (2006); C. G. Van de Walle and D. Segev, J. Appl. Phys. 101, 081704 (2007).
  83. [1-53] Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
  84. [1-54] X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li, D. D. D. Ma, C. S. Lee, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 369, 220 (2003).
  85. [1-57] Y. Alifragis, A. Georgakilas, G. Konstantinidis, E. Iliopoulos, A. Kostopoulos, and N. A. Chaniotakis, Appl. Phys. Lett. 87, 253507 (2005).
  86. [1-58] T. Kokawa, T. Sato, H. Hasegawa, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 1972 (2006).
  87. [1-59] B. S. Kang, F. Ren, M. C. Kang, C. Lofton, W. Tan, S. J. Pearton, A. Dabiran, A. Osinsky, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 86, 173502 (2005).
  88. [1-63] Y.-S. Lu, C.-L. Ho, J. A. Yeh, H.-W. Lin, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 92, 212102 (2008).
  89. [1-64] H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 82, 1736 (2003).
  90. [1-65] I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
  91. [1-66] G. F. Brown, J. W. Ager III, W. Walukiewicz, W. J. Schaff, and J. Wu, Appl. Phys. Lett. 93, 262105 (2008).
  92. Chapter 2
  93. [2-1] S. Perkowitz, Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman, and Photoluminescence Spectroscopy (Academic Press /London /c1993).
  94. Chapter 3
  95. [3-2] T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986).
  96. [3-3] J. Wu1, W. Walukiewicz, S. X. Li, R. Armitage, J. C. Ho, E. R. Weber, E. E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff, A. Barcz, and R. Jakiela, Appl. Phys. Lett. 84, 2805 (2004).
  97. [3-4] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmu¨ller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
  98. [3-5] J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
  99. [3-8] C.-L. Wu, J.-C. Wang, M.-H. Chan, T. T. Chen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003).
  100. [3-9] C.-L. Wu, C.-H. Shen, H.-W. Lin, H.-M. Lee, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 87, 241916 (2005).
  101. [3-10] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Stat. Sol. (b) 229, R1 (2002).
  102. [3-11] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Stat. Sol. (b) 229, R1 (2002).
  103. [3-12] H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, V. Cimalla, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 83, 1136 (2003).
  104. [3-13] C. J. Sun and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 63, 973 (1993).
  105. [3-14] T. Paskova, P. P. Paskov, E. Valcheva, V. Darakchieva, J. Birch, A. Kasic, B. Arnaudov, S. Tungasmita, B. Monemar, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 2265 (2004).
  106. [3-16] T. Lei, K. F. Ludwig and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 74, 4430 (1993).
  107. [3-17] Y. J. Sun, O. Brandt and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1350 (2003) .
  108. [3-18] M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 1201 (2002).
  109. [3-19] T. Y. Liu, A. Trampert, Y. J. Sun, O. Brandt and K. H. Ploog, Philos. Mag. 84, 435(2004).
  110. [3-20] H.Wang, C. Chen, Z. Gong, J. Zhang, M. Gaevski, M. Su, J. Yang and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 499 (2004).
  111. [3-21] T. Paskova, R. Kroeger, S. Figge, D. Hommel, V. Darakchieva, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N. M. Williams and M. Tutor, Appl. Phys. Lett. 89, 051914 (2006)
  112. [3-24] J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. M. Zavada and B. L. H. Chai, J. Electrochem. Soc. 143, L169 (1996).
  113. [3-25] W. A. Doolittle, S. Kang, T. J. Kropewnicki, S. Stock, P. A. Kohl and A. S. Brown, J. Electon. Mater. 27, L58(1998).
  114. Chapter 4
  115. [4-1] J. Bhattacharyya, S. Ghosh, M. R. Gokhale, B. M. Arora, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 89, 151910 (2006)
  116. [4-3] K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, T. Kimura, K. Kawashima, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Stat. Sol. (a) 207, 1356 (2010).
  117. [4-4] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
  118. [4-5] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 413(2002).
  119. [4-6] C. Rivera, P. Misra, J. L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 101, 053527 (2007).
  120. [4-7] B. Liu, R. Zhang, Z. L. Xie, J. Y. Kong, J. Yao, Q. J. Liu, Z. Zhang, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, P. Han, Y. Shi, Y. D. Zheng, S. M. Zhou, and G. Edwards, Appl. Phys. Lett. 92, 261906 (2008).
  121. [4-10] G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
  122. [4-13] M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52,8132 (1995).
  123. [4-14] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog. Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
  124. [4-15] P. Carrier and S. H. Wei, J. Appl. Phys. 97, 033703 (2005).
  125. [4-16] I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
  126. [4-18] M.Feneberg, J.Däubler, K. Thonke, and R. Sauer, Phys. Rev. B 77, 245207 (2008).
  127. [4-19] N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Thomson Brooks/Cole, California, 1976).
  128. [4-21] N. Teofilov, K. Thonke, R. Sauer, D.G. Ebling, L. Kirste, and K.W. Benz, Diam. Relat. Mater. 10, 1300 (2001).
  129. [4-23] K. Domen, K. Horino, A. Kuramata, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 70, 987 (1997).
  130. [4-24] P. Carrier and S. H. Wei, J. Appl. Phys. 97, 033703 (2005).
  131. [5-1] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
  132. [5-3] P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature (London) 406, 865 (2000).
  133. [5-4] M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
  134. [5-5] H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, V. Cimalla, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 83, 1136 (2003).
  135. [5-6] N. F. Gardner, J. C. Kim, J. J. Wierer, Y. C. Shen, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 86, 111101 (2005).
  136. [5-7] T. Koyama, T. Onuma, H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, T. Sota, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 89, 091906 (2006).
  137. [5-8] K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu, J. Ichihara, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 46, L187 (2007).
  138. [5-10] K. Okamoto, J. Kashiwagi, T. Tanaka, and M. Kubota, Appl. Phys. Lett. 94, 071105 (2009).
  139. [5-11] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
  140. [5-12] S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 413 (2002).
  141. [5-13] C. Rivera, P. Misra, J. Luis Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 101, 053527 (2007).
  142. [5-14] B. Liu, R. Zhang, Z. L. Xie, J. Y. Kong, J. Yao, Q. J. Liu, Z. Zhang, D. Y. Fu, X. Q. Xiu, P. Chen, P. Han, Y. Shi, Y. D. Zheng, S. M. Zhou, and G. Edwards, Appl. Phys. Lett. 92, 261906 (2008).
  143. [5-15] J. Bhattacharyya, S. Ghosh, M. R. Gokhale, B. M. Arora, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 89, 151910 (2006).
  144. [5-17] K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, T. Kimura, K. Kawashima, T. Araki, and Y. Nanishi, Phys. Stat. Sol. A 207, 1356 (2010).
  145. [5-18] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Stat. Sol. B 229, R1 (2002).
  146. [5-19] J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
  147. [5-20] H. Ahn, Y.-P. Ku, C.-H. Chuang, C.-L. Pan, H.-W. Lin, Y.-L. Hong, and S. Gwo , Appl. Phys. Lett. 92, 102103 (2008).
  148. [5-23] V. Darakchieva, M.-Y. Xie, N. Franco, F. Giuliani, B. Nunes, E. Alves, C. L. Hsiao, L. C. Chen, T. Yamaguchi, Y. Takagi, K. Kawashima, and Y. Nanishi, J. Appl. Phys. 108, 073529 (2010).
  149. [5-24] G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida, Phys. Stat. Sol. C 5, 1808 (2008).
  150. [5-25] C.-L. Hsiao, J.-T. Chen, H.-C. Hsu, Y.-C. Liao, P.-H. Tseng, Y.-T. Chen, Z.-C. Feng, L.-W. Tu, M. M. C. Chou, L.-C. Chen, and K.-H. Chen, J. Appl. Phys. 107, 073502 (2010).
  151. [5-26] J.-H. Jou and L. Hsu, J. Appl. Phys. 69, 1384 (1991).
  152. [5-27] N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Brooks/Cole, Cengage Learning, Belmont, 1976), p. 494.
  153. [5-29] T. L. Tansley, C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986).
  154. [5-31] C. StampL, C. G. Van de Walle, D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann, Phys. Rev. B 61, R7846 (2000).
  155. [5-32] J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Scha1, Phys. Rev. B 66, 201403 (2002).
  156. [5-33] G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, J. Crys. Grow. 301, 517 (2007).
  157. [5-34] Y. Narukawa, Y. Kawakami, and S. Fujita, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
  158. [5-35] C.-H. Shen, H.-Y. Chen, H.-W. Lin, S. Gwo, A. A. Klochikhin and V. Yu. Davydov, Appl. Phys. Lett. 88, 253104 (2006).
  159. [5-36] H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 82, 1736 (2003) .
  160. [5-37] I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
  161. [5-38] V. Darakchieva, M. Schubert, T. Hofmann, B. Monemar, Ching-Lien Hsiao, Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W. J. Schaff, Y. Takagi, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 95, 202103 (2009).
  162. [5-39] W. M. Linhart, T. D. Veal, P. D. C. King, G. Koblmüller, C. S. Gallinat, J. S. Speck, and C. F. McConville, Appl. Phys. Lett. 97, 112103 (2010).
  163. [5-40] J. Lee, E. S. Koteles, M. O. Vassell, Phys. Rev. B 33, 5512 (1986)
  164. [5-41] Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998)