濺鍍MgB2薄膜的X光吸收光譜

吳良彥

指導教授 ： 張秋男

國立臺灣師範大學/理學院/物理學系/碩士(2002年)

摘要

摘要
MgB2是2001年由日本J. Akimitsu教授實驗室首先發現的新超導材料。由於其具有比一般傳統金屬性超導幾乎2倍的超導臨界溫度、高度的實際應用性，加上此材料的晶格結構及電子結構特殊，其超導性質無法完全以BCS理論解釋，而引起各界的高度關注。
我們嘗試以兩階段方式成長MgB2膜於R-plane Al2O3上。首先以熱蒸鍍( Thermal Evaporator Deposition)和射頻磁控濺鍍(Radio Frequency Magnetron Sputtering Deposition)兩種鍍膜方式鍍出各種初級膜，再將初級膜置於高溫爐退火(annealing)處理。
接著，我們將這些成長於R-plane Al2O3的薄膜拿至同步輻射中心做X光吸收譜的實驗，得知由熱蒸鍍所得的硼膜品質相當的好，無氧化情形，但在退火處理後，卻未發現硼膜有所變化。而濺鍍靶材Mg -rich MgB2所得的初級膜含有少量的B2O3，經退火處理後，發現B2O3消失，反而出現MgO的訊號。
不過此樣品的B-edge吸收譜已接近MgB2 powder的吸收譜，故我們再嘗試不同的退火條件終於成功的製作出臨界溫度約30K的多晶(polycrystalline)MgB2膜。

關鍵字

二硼化鎂 ； 超導體 ； 薄膜 ； X光吸收光譜 ； 同步輻射

並列摘要

無資料

並列關鍵字

MgB2 ； superconductor ； film ； X-ray absorption ； synchrotron

參考文獻

1-2 Hyeong-Jin Kim, W. N. Kang, Eun-Mi Choi, Mun-Seog Kim, Kijoon H. P. Kim, and Sung-Ik Lee,Phys. Rev. Lett. 87, 087002 (2001)

2-1 W. N. Kang, Hyeong-Jin Kim, Eun-Mi Choi, C. U. Jung, Sung-Ik Lee. Science 292, 1521 (2001).

1-8 Yang, H. D. et al. Phys. Rev. Lett. 87, 167003 (2001)

1-11 Warren Pickett, Nautre 418, 733 (2002)

3-2“X-ray Spectroscopy”, B. K. Agarwal, 2nd Edition, Springer Series in Optical Sciences, Vol. 15, Spring-Verlag, 1989.