氧化鋅鋁透明導電膜在氮化鎵上 歐姆接觸特性研究

The Study of AZO transparent and conductive ohmic contact to p-GaN

胡慶忠(Ching-Chung Hu)

指導教授 ： 許進恭 ； 張正陽

國立中央大學/理學院/光電科學研究所/碩士(2005年)

摘要

本論文之主題是n-型氮化鎵(n-GaN)與p-型氮化鎵(p-GaN)上之接觸電極研究。在n-GaN 的接觸電極方面， Cr/Au 接觸電極用高溫爐管(Furnace)在氮氣環境下經過400℃熱處理5 分鐘後可得到最低的特徵接觸電阻(specific contact resistivity )。對於作為n-型接觸電極有很大的發展潛力。在p-GaN 的接觸電極方面，以鋁摻雜氧化鋅(AZO)為透明電極材料，雖然AZO 薄膜有不錯的光穿透率，然而在p 型氮化鎵上之接觸特性，卻無法有線性之歐姆接觸特性，因此我們在AZO與p-型氮化鎵間加入一層鎳(Ni)或氧化鎳(NiOx)來降低透明導電膜與p-型氮化鎵之位障，改善了歐姆接觸特性。 在光穿透率上，p-GaN/Ni/AZO 在氮氣環境下經過800℃熱處理後，在可見光波段的穿透率可由70%提升至85%，這可能是因為Ni/AZO 經過熱處理後，介面的Ni 會形成透明的NiO，而使穿透率提升。而所有的NiOx/AZO 在可見光波段都有85%以上的穿透率。而在氮氣環境下經過 800℃熱處理後 Ni/AZO 及NiOx/AZO 的特徵接觸電阻都有不錯的結果.並且與Ni/Au 及ITO 的電阻值相近。而電性的改善可能與介面處NiO 及Ni-Ga合金的形成有關。經過本論文的研究，Ni/AZO 與NiOx/AZO 透明導電膜具有應用於紫外光發光二極體(UV-LED)上的潛力。

關鍵字

透明導電膜 ； 歐姆接觸 ； 氮化鎵 ； 鋁摻雜氧化鋅 ； 氧化鋅鋁

並列摘要

無資料

並列關鍵字

Ohmic contact ； GaN ； Al-doped ZnO ； AZO

參考文獻

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