1998年Shirota於J. Am. Chem. Soc.中發表以BMB-2T及BMB-3T的電子傳輸層材料,這是文獻上將第一次dimesitylboron用在OLED製程上,藉由BMB-2T取代部分Alq3的厚度做電子傳輸層的結果,在外部量子效率上約提昇10%左右,其認為BMB-2T有較佳的電子傳輸能力。 接著2003年池俊毅君碩士論文來自Shirota的啟發,合成一系列以dimesityl boron為主的硼衍生物,在元件製程上,以stilbene為中間體的硼化物比Alq3在藍光元件上有更佳的外部量子效率,從中獲得比Alq3傳遞電子能力還快的材料。 在本論文中,我們更進一步將dimesitylboron上對位甲基拔除。理論上對電子傳輸層來說,分子間距離越短,電子跳躍到下一個分子的能力越好,也代表電子傳遞效果更佳。根據此概念,我們合成數個雙二甲基苯硼衍生物,同時也合成中間體和池俊毅君及Shirota相同的dimesitylboron的分子。在UV吸收上皆以π→π*為主,光激發放光位置則在紫光到藍光的範圍,由CV的測量得到一還原電位,其Tg多在100 ℃以上代表有不錯的熱穩定性;另外也由X-ray解晶確定所合之 化合物無誤,同時配合理論計算及分子最短接觸距離,得到去甲基確實拉近分子間距離。從簡單的純電性元件設計BCP(10 nm)/硼化物(30 nm)中,BbiphB、BbithB不僅比Shirota和池俊毅所合同中間體的dimesitylboron電流密度來的大,也大於Alq3。預期在完整的元件上應有不錯的效果。
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