摘要
本實驗以眞空濺鍍技術製作高方向性，高品質之PZT薄膜，配合積體電路製程技術製作完成水下超音波發射及接收元件，爲增加水下超音波感測元件之感度，將基板蝕刻成薄膜，以增加壓電薄膜感應的強度，實驗步驟包括元件設計，矽基板蝕刻，薄膜長成（磁控濺鍍），金屬接線，極化及元件的包裝等。，而以PZT薄膜超音波元件為發射元件時，發射強度在50~70mμbar/dbv左右，而在11.25MHZ有一最強之發射峰值而在接收方面所得之PZT薄膜感音器在低頻響應靈敏度較高，強度可達-20dbv/μbar，在高頻區，響應在-60dbv/μbar左右。
關鍵字
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Sputtering technique was used in this experiment to fabricate good c-axis orientation and high quality PZT film for underwater ultrasonic device with IC processes. In order to increase the sensitivity of ultrasonic devices, the Si substrate was etched to a diaphragm type. The fabrication proceduce include device design, silicon substrate etch, PZT thin film deposition, eletrode deposition, poling and package etc. The PZT sensor as transmitter, its transmitting intensity is 50~70mμbar/dbv, and its spectrum has a peak value at 11.25MHz. The PZT sensor as receiver, its sensitivity is higher at low frequency response. The sensitivity can be as high as -20dbv/μbar. However, the sensitivity is lower at high frequency response. In high frequency spectrum, its sensitivity is about -60dbv/μbar.
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無資料延伸閱讀
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