GaN-VCSEL技術發展史及其市場應用簡介

GaN-VCSEL Technology Development and Potential Applications in Market

郭浩中 ； 盧廷昌 ； 方照詒 ； 葉妟瑋

《國家奈米元件實驗室奈米通訊》 25卷2期 (2018/06) Pp. 12-17

摘要

氮化鎵（GaN）是一個很優秀的光電材料，特別是在紫外光、藍光及綠光等波段。而垂直共振腔面射型雷射（Vertical-Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL）也具備的諸多優良特點，如：二維可擴展性、可定址性、可表面黏著、良好的性價比及相對簡易的光耦合技術等。本文中回顧了氮化鎵系的垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）的設計與製作方式及當中所面臨的一些挑戰，討論電激發的垂直共振腔面射型雷射的磊晶結構設計及未來的應用前景。

關鍵字

共振腔 ； 閾值 ； 氮化鎵 ； 面射型 ； 雷射 ； 反射鏡 ； 光通訊 ； 自發放射 ； 受激放射

並列摘要

GaN is a promising material for optoelectronic devices in blue, blue-violet and green bands. Vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) have many advantages including small footprint, simple optics/alignment for output coupling, surface-mount packaging, good price-performance ratio. In this paper, we will review the history of the design and fabrication of GaN-based VCSELs and metalorganic vapor deposition (MOCVD) growth of electrically pumped blue VCSELs.

並列關鍵字

VCSEL ； GaN ； DBR ； Vertical-cavity ； Surface-emitting ； Hybrid ； Quantum Dot ； MOCVD ； Spontaneous Emission ； Stimulated Emission