國研科技/NARL Quarterly
財團法人國家實驗研究院,停刊
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國研院奈米元件實驗室發表－高密度電漿矽薄膜沉積技術，此技術可用來製造高效率且低成本之薄膜太陽能電池，並可將此電池整合進電晶體模組中。本實驗室在140℃下，成功製造矽薄膜太陽能電池達到9.6％光電轉換效率，所製造之電晶體其電子遷移率也達到V-s分之1.1平方公分。藉由此低溫薄膜沉積技術，我們將可以整合電子元件於價格低廉、可撓式之基板上，以達到能源充沛利用的成果。
國研院奈米元件實驗室發表－高密度電漿矽薄膜沉積技術，此技術可用來製造高效率且低成本之薄膜太陽能電池，並可將此電池整合進電晶體模組中。本實驗室在140℃下，成功製造矽薄膜太陽能電池達到9.6％光電轉換效率，所製造之電晶體其電子遷移率也達到V-s分之1.1平方公分。藉由此低溫薄膜沉積技術，我們將可以整合電子元件於價格低廉、可撓式之基板上，以達到能源充沛利用的成果。