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華岡工程學報/Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering

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中國文化大學工學院,停刊

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本研究成功將銀奈米粒子與銀離子在經過溶凝膠法(sol-gel)反應之後均勻嵌載氧化矽鋁的非晶結構表面及內部,其中鋁原子的導入扮演關鍵性的角色,為銀離子(Ag(上標 +))均勻分佈在整體二氧化矽載體的主要原因。〔AlO(下標 4)〕(上標 -)四面體結構和Ag(上標 +)的交互作用導致Ag(上標 +)藉著庫倫靜電力散佈在主體結構,進而完整呈現Ag(上標 +)嵌載在Al-O-Si鍵結狀態的結構。擁有此特殊結構的樣品之後經由氧氣氣氛的退火處理保持溫度範圍區間介於250-1000℃。銀原子和一價銀離子在表面的比例是不斷隨著退火條件而改變,原則上可劃分成三階段演變態,低溫銀粒子率先還原在表面,當溫度漸升銀原子滿足離子化條件隨即轉換成離子態,更高溫甚至可能有液化與脫落的現象發生。在未退火前30℃的氧化矽鋁奈米微球展現出最適合做為抗菌材料的性質,優點具有良好化學耐久性,抗菌能力符合高標準,還有潔白的外觀感受。退火後的樣品雖不具有特別吸引人的抗菌顏色外貌,最終卻發現銀的熱穩定性變化趨向。這些結果顯示本研究在生醫材料領域具有前瞻性的發展潛力。

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在本研究中,所使用的電色材料為三氧化鎢電致變色裝置(Electrochromic Device, ECD),其特性是當電致變色物質受到外加電場的影響時,會改變對光的吸收能力,而導致顏色及穿透率的變化且具可逆及持續性。其可應用的範圍相當之廣泛,在使用於節約能源上可扮演一個十分重要的角色,如太陽能板或觸控式螢幕上…等。三氧化鎢相對於其他電色材料(如:氧化釩,氧化鉬…等)有較高的變色效率,所以使用作為本研究對象。本研究將探討,利用陶瓷靶射頻磁控濺鍍法製備三氧化鎢薄膜可望其薄膜特性比傳統金屬鎢靶直流濺鍍法更佳,並在不同參數條件下,對電致變色效應的影響;三氧化鎢膜厚度,濺鍍氣壓與氣氛,濺鍍基板溫度與濺鍍速率。藉由這些探討,找到比傳統直流濺鍍法更佳之濺鍍參數,以期望達到最佳的變色效率。

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本研究用CrxFeCoNi基金屬合金測量電化學性質,分別以FeCoNi、Cr0.5FeCoNi、CrFeCoNi三種金屬合金來做研究,並比較鑄造狀態及熱處理後之差異。實驗是使用市售硫酸調配成1M的硫酸溶液,並改變不同的實驗溫度,以恆電流/恆電位儀測量金屬合金在不同溫度下硫酸溶液中的極化曲線,來測定其腐蝕電位、腐蝕電流、鈍態區間電位。電化學實驗結果顯示,含Cr的合金經過熱處理後較不耐腐蝕,而不含Cr的合金熱處理後抗腐蝕會提升,隨著硫酸的溫度提高,鈍態區電流會向高電流方向偏移,而鈍態膜現象也會隨之減少。

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本論文是以多個金屬元素依照比例製成的合金靶材,再將靶材鍍製成合金薄膜,主要是研究合金氧化物薄膜其溫度與導電性質的影響,目的在於找尋最佳電阻的合金氧化薄膜。本論文使用到的靶材有CrFeCoNi、TiCo(下標 1.5)Ni(下標 1.5),再將靶材以高真空濺鍍機鍍製於經過1000℃氧化12小時的矽晶片上。製得的合金薄膜放置於真空高溫爐內,分別做500℃、600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃ 30分鐘的退火處理,觀測合金薄膜退火處裡後其前後微結構變化以及退火前後電阻變化,選取CrFeCoNi 在600℃、700℃;TiCo1.5Ni1.5在800℃、900℃,最佳電阻的薄膜置於真空爐下再進行不同時間的熱處理,觀察不同合金氧化物薄膜的耐高溫能力。

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本研究使用能表現半乳糖甘酶β-galactosidase(β-gal)之Pichia Pastoris酵母菌,使用SDS/chloroform進行Pichia Pastoris酵母菌細胞通透(permeabilization),再利用洋菜膠(agar)將其進行固定。實驗分別以5種試劑進行酵母菌細胞通透測試,結果顯示以01.94×10^-3 % SDS /3.80 % chloroform通透效果最佳,其β-gal活性可達7.5×10^3 unit/mg cell,在將通透過後的酵母菌細胞用洋菜膠進行固定化測試,結果顯示以2% 洋菜膠之固定化效果最好。對此固定化酵素進行各種反應條件探討,最佳條件如下:在pH=7.5,溫度28℃,反應20分鐘的情況下酵素活性有最高值3.4×10^2 unit/mg cell。

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本研究以薄膜電極方法探討鈀黑(Pd-black)觸媒在酸性電解質溶液中電催化甲酸氧化的反應動力學。利用循環伏安法多次掃描得知Pd-black電極的氫吸/脫附電荷量會隨著掃描圈數的增加而漸漸減少,這是由於Pd觸媒表面化學吸附H(上標 +)離子所致。再者,氫吸附peak I (-0.125V vs. Ag/AgCl)對氫的化學吸附活性明顯高於氫吸附peak II (0.043V vs. Ag/AgCl),這些現象將降低Pd-black觸媒在酸性電解質溶液中的電化學活化面積,並導致觸媒活性與壽命的減退。利用線性掃描伏安法所求得甲酸分子在Nafion覆蓋Pd-black薄膜電極中的擴散係數為1.3×10^-6 cm^2s^-1。與以計時安培法並藉由Cottrell方程式所求得的擴散係數值具有相同的數量級(10^-6)。所求得擴散係數值上的些微差異可歸因於實驗誤差。

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利用熔融法來製備奈米碳管/聚丙烯之奈米複合材料,並利用混合酸來改質奈米碳管使其官能基化。由傅立葉紅外線光譜、拉曼光譜、熱重分析與X光繞射分析可知奈米碳管成功被酸改質;由掃描式電子顯微鏡觀察奈米碳管均勻分佈於聚丙烯樹脂中;結果顯示奈米複合材料之硬度隨著奈米碳管含量之增加而提升,而奈米複合材料之抗張強度、抗張模數與耐衝擊強度皆隨著奈米碳管含量之增加至3phr而提升,超過3phr後下降;經過混合酸改質之奈米碳管/聚丙烯奈米複合材料之機械性質皆優於未改質之奈米碳管/聚丙烯奈米複合材料。

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本研究以溶劑揮發法製備油性聚氨酯(Polyurethane,PU)包覆相轉移材料微膠囊,並且以極端(約200℃、-5℃)條件嘗試改質正二十烷及正二十二烷,探討不同混合比例之正烷類在相變化發生時之吸放熱溫度的變化。並以掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察微膠囊的成形性,並利用微熱差分析儀(DSC)鑑定樣本之吸放熱與其再現性。實驗結果顯示在SEM觀察下以1200rpm轉速下所獲得之微膠囊的成形良好,其平均粒徑為126.69±7.52μm。DSC測試可知經PU包覆後的混合正烷類不會因為包覆而影響其熱性能。經(約200℃、-5℃)條件處理可改變正二十烷及正二十二烷相轉移材料的吸熱溫度範圍而不影響其熱焓質。

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此次研究利用化學汽相沉積法,使用純釩粉末合成出二氧化釩奈米線,成長在矽基板上。由掃描式電子顯微鏡觀察二氧化釩奈米線直徑約在50~100nm之間,長度達數十μm;穿透式電子顯微鏡確認二氧化釩奈米線為單晶結構;透過X光繞射分析顯示,二氧化釩奈米線為單斜晶系結構。藉由能量散佈分析與X光光電子能譜儀對其成分作更進一步之分析。最後透過簡易電壓-電流量測來了解電。

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本研究主要是針對新開發之高熵合金Al(下標 x)Co(下標 1.5)CrFeNi(下標1.5)Ti(下標 0.5)Mo(下標 y)孔蝕行為及其電化學特性之研究。並分別改變Al及Mo含量以探討這兩種金屬元素在高熵合金腐蝕中所扮演的角色,並與316不鏽鋼作比較分析。結果顯示高熵合金較316不鏽鋼在氯鹽環境中有較好的抗一班腐蝕的效果,而高熵合金本身已高Mo低Al為優,其排列順序為Al(下標 0.1)-Mo(下標 0.2)>Al(下標0.1)-Mo(下標 0.1)>Al(下標 0.2)-Mo(下標 0.1)。而高熵合金Al(下標 0.1)-Mo(下標 0.1)之臨界孔蝕溫度隨著氯鹽濃度的升高而下降。由金相顯示,本高熵合金可看出合金呈現樹枝狀之微觀結構,在到達臨界孔蝕溫度後其腐蝕鑄造狀態之位址發生在樹枝間。由此說明樹枝與樹枝間合金成份的差異促使臨界孔蝕溫度的下降,高熵合金孔蝕情形亦趨嚴重,並擴大,加深。