本實驗使用模版法來製備奈米結構,由於氧化鋅奈米柱製備方法簡單且成熟,所以選擇氧化鋅奈米柱來當作模版,實驗分為兩大部分,第一部分藉由控制種子層鍍製參數、種子層摻雜的比例和控制水熱法成長條件,製備出適合的模版,並探討柱體成長機制;第二部分利用射頻磁控濺鍍法,成功製備出鐵酸鉍/鎳酸鑭/氧化鋅奈米柱陣列核殼奈米柱結構。藉由導電式原子力顯微鏡量測單根奈米柱的電性,此結構在未極化之前,diode的行為並不明顯,在施加+10V的極化後,呈現明顯的diode的行為;施加-10V的極化後,則呈現反向diode行為。反向的外加電壓使靜電場方向反轉,表示此結構呈現可切換的diode特性,此現象為鐵電材料其內部極化可由外加電場反轉的特性。鐵酸鉍的電流傳導機制在正偏壓端為Pool-Frenkel emission,在負偏壓端電流傳導機制為Schottky emission,在柱體上方中心和旁邊量測的電性行為類似。PFM量測中,in-plane的訊號在施加±10V時明顯有些區塊變亮或變暗且±10V訊號對比正好相反,退回0V後,可觀察到有殘留極化的現象,表示此材料可以透過外加電壓使極化方向有所改變,且有殘留極化的現象,證明此材料擁有鐵電特性。