基板表面工程控制成長半導體薄膜與晶體

半導體晶體與薄膜的成長無論在工業的應用或者是基礎理論的探討上皆佔有相當重要的地位，進一步考慮能源的使用與製程對環境的危害，以水溶液化學在較低溫度製備半導體材料，是一種較為簡單、便宜的方式，具有研究的潛力。本實驗室專注於I-IIl-VI族與II-VI族半導體化合物與固態溶液的製備已經有數年的時間，我們發現無論是水溶液化學、基板表面的物理化學4性質，以及多成分化合物的相圖，對於所製備材料的結晶結構與組成，皆具有決定性的影響。這篇文章將簡單介紹本實驗室的一些研究成果，說明適當的使用自組裝單分子膜改變基板表面的官能基與表面能，我們能夠有效的控制多成分硫化物的組成，在特定的配方甚至可以不經過燒結的程序，便可以獲得具有結晶性的半導體薄膜以及單晶晶體。目前的研究重點便是由熱力學相圖出發，設計固態溶液（I-IlI-VI／Il-VI）的低溫合成方法。希望藉由這篇短文，吸引更多優秀的人才投入相關的研究工作。