摘要
本論文針對（金乚）摻雜氧化鋅鋁（Gd-doped Aluminum Zinc Oxide, Gd: AZO）透明導電薄膜（transparent conductive thin film）進行材料特性量測分析，並且探討其與未慘雜之氧化錚鋁（ZnO:Al_2O_3= 98 wt.%:2wt.%）薄膜光電特性差異。本實驗利用共濺鍍系統（co-sputter）成長薄膜，以多層膜的方式將（金乚）摻雜氧化辦鋁薄膜灑鍍在石英玻璃（quartz）基板上，一共分成五層AZO/Gd/AZO/Gd/AZO，改變Gd與AZO在多層膜結構中厚度比例，得到不同濃度（金乚）摻雜氧化錚鋁導電薄膜。沉積以後經由適當的熱處理，利用霍爾量測（Hall measurement）量測電性，且利用氧化錚鋁導電機制合理探討各種量測結果。經由本研究可知，Gd：AZO薄膜因具有良好之電性，因此為替代氧化銦錫（ITO）來當成透明導電層應用在氮化館發光二極體（GaN-based LED）上的潛力。
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延伸閱讀
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