摘要
本研究採反應式射頻非平衡磁控濺鍍，在Si(100)基板溫度為300℃下製備氮化鈦薄膜，探討濺鍍時DC偏壓值及氬氣與氮氣的比例對於薄膜微結構、表面粗糙度與硬度之影響。由場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)觀察及X光繞射分析儀(XRD)分析，薄膜皆為柱狀晶結構並且顯示(111)優選取向。而由原子力顯微鏡(AFM)觀察，以射頻製備氮化鈦薄膜，其表面粗糙度為1.1nm；相較於採用直流濺鍍時3.1nm，具有較佳之表面粗糙度。此外，薄膜硬度是隨著DC偏壓值增加而增加，當DC偏壓超過-20V時，薄膜表面會因離子過度轟擊導致薄膜硬度急遽下降至20 GPa以下。當DC偏壓為-20V，氬氣與氮氣比例為15:1時，薄膜硬度可達最大值31 GPa。
延伸閱讀
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