摘要
本研究利用磁控共濺鍍法(co-sputter)，在康寧Eagle^2000玻璃基板上製備380nm厚之CuIn(下标 x)(x=15-3.5at.%)薄膜，改變不同的濺鍍功率以獲得不同的合金之成分。以EDS分析合金薄膜銦含量，並利用快速退火爐(rapid thermal annealer)對薄膜進行200-600℃，10-30分鐘之熱處理，最後利用XRD、TEM、FPP研究對合金薄膜結構及電性。由XRD圖顯示，只有Cu(111)與Cu(200)Peak及In2O3(104)peak產生，並無其他介金屬化合物生成。且實驗發現，銦在400℃氧氣氛熱處理之下從薄膜析出，並在表面形成氧化錮層，形成自我鈍化效果。且薄膜電阻率亦隨著銦合金含量比例減少而降低，銦合金含量為1.7at.%之合金薄膜，經600℃30分鐘熱處理後可達到292µ℃.cm之最佳電阻率。銦合金含量比例在1.7at.%以下之合金薄膜，經氧氣氛下做熱處理後，並無明顯氧化銦之相產生。且在氧氣氛下退火後電阻率較高。
延伸閱讀
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