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  • 期刊

金氧半穿隧二極體之耦合效應

Coupling Phenomenon of Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Diode

摘要


本文主要在探討相鄰的金氧半穿隧二極體之間的耦合效應,我們以一組同心圓結構之超薄氧化層金氧半電容元件作為穿隧二極體進行研究,量測時在中心之金氧半穿隧二極體加上不同之偏壓,並將外環之金氧半穿隧二極體和基板接地,在不同的中心元件偏壓之下我們可以藉由外環元件量測到橫向耦合之電流,並由基板量測到縱向注入之電流,縱向注入之電流和直觀預期之結果相符,愈強之中心元件偏壓會有愈大的縱向注入電流,然而,橫向耦合之電流並非如此,橫向耦合電流不隨偏壓增強而單調地上升,而是有一個反轉的現象,針對此一現象我們也進行了模擬並提出了可能的機制。

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