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  • 期刊

應用於鰭式場效電晶體精簡模型的物理特性

摘要


鰭式場效電晶體(FinFET)被視為是延長摩爾定律(Moore's law)的重要元件結構之一,如何應用其優異的電晶體電特性來設計電路是當前重要的研究課題。要能精確的模擬電路行為,我們需要精準的的元件精簡模型(compact model) 來預測鰭式效電晶體的電特性。本文介紹鰭式場效電晶體有別於傳統平面金氧半場效電晶體(planar MOSFET)的獨特元件物理特性,元件精簡模型如BSIM-MG需要包含這些物理特性以精準的預測含有鰭式場效電晶體的電路之行為。

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