X光繞射分析在半導體工業上的應用

X-ray Diffraction Utilized in the Semiconductor Industry

鄧建龍 ； 姚潔宜 ； 張茂男

《國家奈米元件實驗室奈米通訊》 15卷4期 (2008/12) Pp. 6-14

https://doi.org/10.29913/NDLC.200812.0003

摘要

由於X光繞射技術為一非破壞性的量測，加上試片製備也較穿透式電子顯微鏡分析技術來得容易，且分析也不受限於特定環境，因此已被廣泛地應用在半導體工業上材料結構的分析。藉由不同的X光繞射分析技術，可以對材料整體性質做一完整檢視。本文主要針對幾項不同的X光繞射分析技術作介紹，並以實際的案例分析，使讀者對這項分析技術在半導體上的應用有進一步的認識。

關鍵字

掠角X光繞射 ； 回擺曲線 ； X光反射率 ； 倒置空間圖

並列摘要

Owing to non-destructive analysis, simple sample preparation and flexible measurement environment compared with transmission electron microscopy (TEM) technique, x-ray diffraction (XRD) has been widely used for materials characterization in the semiconductor industry. Average material properties can be obtained through various XRD techniques. In this article common x-ray diffraction techniques employed in the semiconductor industry will be thoroughly introduced with several case studies. It will help readers to further understand the XRD technique.

並列關鍵字

Grazing Incident X-ray Diffraction, GIXRD ； Rocking Curve ； X-ray Reflectometry, XRR ； Reciprocal Space Mapping, RSM