鈷掺雜P 型與錳掺雜N 型氮化鎵稀磁半導體之研究

The study of Co-doped P type and Mn-doped N type GaN Diluted Magnetic Semiconductors

尤隆禹

指導教授 ： 開執中 ； 陳福榮

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2009年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00763

摘要

本實驗主要是藉由離子柨植的方法將鈷、錳過渡元素離子分別柨植到p 型、
n 型氮化鎵材料來製備稀磁半導體，由於離子柨植方法在現今半導體工業上是很
普遍的技術，因此可利用這技術來大量製備稀磁半導體。
在本實驗是將表面鍍有氮化矽的p 及n 型氮化鎵，柨植鈷或錳離子，劑量為
) / (# 10 2 2 16 cm  、) / (# 10 3 2 16 cm  在1100℃下做一分鐘退火處理，之後做磁性質、
電性質量測，在磁性方面，我們是藉由多功能物理量測系統(PPMS)量測M-H 曲線
在室溫下有顯示鐵磁性質，在電性量測方面是繼先前學長在不同溫度下量測霍爾
電阻有觀察到異常霍爾效應，之後在試片上外加一電壓來量測霍爾電阻變化，也
有觀察到霍爾電阻變化，在微結構分析方面，是藉由穿透式電子顯微鏡，高解析
X 光繞射儀分析，對劑量) / (# 10 3 2 16 cm  P 型(Ga Co)N 試片其在TEM、XRD 分析得
到有析出相產生，其它劑量試片則是沒有觀察到。

關鍵字

稀磁半導體 ； 氮化鎵

並列摘要

無資料

並列關鍵字

DMS ； Diluted ； Diluted Magnetic Semiconductors

參考文獻

﹝21﹞國立中興大學 研發處貴儀中心 電子顯微鏡簡介

﹝23﹞電子能量損失分析技術於奈米尺度材料之分析應用

﹝26﹞國家奈米元件實驗室 奈米通訊 X光繞射分析在半導體工業上的應用 鄧建

﹝5﹞J. Konig et al., Phys.ReV.Lett.84, 5628(2000)

﹝6﹞J. Konig et al., Phys. ReV.Lett.86, 5637(2001)