氮化鎵高頻元件技術及發展

氮化鎵技術不僅在功率和射頻電子領域獲得了廣泛關注，且由於這種材料的特殊性能，在功率密度、耐高溫和在高頻率工作下優於矽（Si），目前正在迅速擴展到其他應用領域，如數位和量子計算等電子產品。長期以來，在電力電子領域占主導地位的矽幾乎已達到其物理極限，通過用氮化鎵電晶體代替矽元件，從而將電子研究轉向至能夠提供更大功率密度和更好能源效率的材料，可以使工程師設計出更小、更輕、能量損失更少且成本更低的電子系統。氮化鎵也在高頻領域提供了具體且非常有潛力的前景，能夠非常有效地放大高頻信號，因此，能夠建立覆蓋相當遠距離的高頻放大器和發射器，可應用於雷達、預警系統、衛星通信和基站等領域。本文介紹了氮化鎵在不同領域下的原理與應用，以及其在高頻元件上的技術、發展與需要面臨的挑戰。