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期刊
On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs
Muhammad Nawaz
《Active and Passive Electronic Components》
2015卷
(2015/12)
Pp. 50-61
https://doi.org/10.1155/2015/651527
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延伸閱讀
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[doctoral dissertation, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU201701797
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On the Impact of High-κ Gate Dielectric for MOSFETs: Simulation-Based Study
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國立宜蘭大學工程學刊
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2015
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Lin, W. Y. (2005).
Investigation of High Voltage MOSFETs on ESD Considerations
[master's thesis, National Taipei University of Technology]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0006-2007200514124200
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