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期刊
Barrier Inhomogeneity and Electrical Properties of InN Nanodots/Si Heterojunction Diodes
Mahesh Kumar
;
Basanta Roul
;
Thirumaleshwara N. Bhat
;
Mohana K. Rajpalke
;
A. T. Kalghatgi
;
S. B. Krupanidhi
《Journal of Nanomaterials》
2011卷
(2011/12)
Pp. 216-222-028
https://doi.org/10.1155/2011/189731
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延伸閱讀
陳冠翰(2009)。
The Study on Electrical Properties and Fabrication Process of III-Nitride diodes
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00464
許雅瑛(2010)。
Optoelectronic properties of the p-MnZnO/n-Si structure photodiodes in a strong magnetic field
〔碩士論文,國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6841/NTUT.2010.00124
Nam, N. L. (2013).
ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF NANOPORE-BASED SINGLE NANOPARTICLE DEVICES
[doctoral dissertation, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1402201415085953
陳靜嫺(2006)。
Photoluminescent properties of semiconductor nanomaterials in photonic microcavities
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2006.00189
Zhang, Q. (2012).
Tailoring optical properties of light-emitting diodes by nanostructuring with nanospheres
[master's thesis, The University of Hong Kong]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0029-1812201200019901
國際替代計量
Barrier Inhomogeneity and Electrical Properties of InN Nanodots/Si Heterojunction Diodes
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