矽奈米線之生長與特性研究

The Growth and Characteristic of Silicon nanowire

施伯霖(Bo-Lin Shih)

指導教授 ： 李嗣涔

國立臺灣大學/電機資訊學院/電子工程學研究所/碩士(2004年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2004.00824

摘要

本篇論文中之矽奈米線(SiNW)，是利用不同直徑的金奈米顆粒當作催化劑，再經由VLS 機制成長出來的。在基板上的金奈米顆粒，其密度可經由金的沉積時間以及金膠體(Au colloid)的稀釋比例來控制。在本論文中也將討論使用不同直徑的金奈米顆粒當催化劑，而生長出的本質及P型摻雜的矽奈米線會有一定的成長溫度範圍。此外，並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)來分析矽奈米線的結晶方向。在本論文中同樣探討利用準分子雷射退火而得到的金奈米顆粒所成長之矽奈米線的特性。金膜的厚度、雷射的強度以及雷射發數均會對金奈米顆粒的直徑產生影響，其影響的機制與結果也會有合理的解釋與分析。

關鍵字

矽奈米線

並列摘要

The silicon nanowires (SiNWs) with different diameters of Au nanoparticles as catalyst are grown via vapor-liquid-solid (VLS) mechanism by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) in this thesis. The density of Au nanoparticles as catalyst on the substrate can be controlled by the Au deposition time and the dilution of Au colloid solution. The growth windows of un-doped and p-type doped silicon nanowires with different diameters of Au nanoparticles as catalyst are investigated. The growth characteristics of Silicon nanowires are analyzed by tunneling electron microscope (TEM). The Silicon nanowires grown from excimer laser annealing (ELA) annealed Au film are studied. The effects of the Au film thickness, laser power energy and laser shots number on the diameter of Au nanoparticles are also discussed.

並列關鍵字

silicon nanowire

參考文獻

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