在樣品表面鍍上金薄膜,加熱樣品使金聚集成觸媒粒,通入 或 提供矽氣源,在樣品表面上生長出矽奈米線。這方面的研究已有許多相關文獻的研究探討。 本實驗是以浸泡金標準溶液取代濺鍍方式所產生的金薄膜,另外以加熱矽塊材使其蒸發出矽原子取代 或 。矽奈米線的生長受很多因素影響,如不同的金標準溶液浸泡時間、生長溫度、樣品種類、氧氣或氧化物存在與否等。 利用AFM及SEM觀測樣品表面矽奈米線生長的情況,本實驗主要的樣品為n-type Si(100),綜合實驗的結果有以下三點: (1)適合生長矽奈米線的條件為加熱800 ℃ 10min使金聚集,600~700 ℃ 30min 生長矽奈米線 (2)浸泡金標準溶液時間≦40s (3)氧化物存在會影響奈米線的分布