近年來,半導體產業發展快速,各類電子產品也不斷進步,而在進步的同時也遇到不少瓶頸,例如電晶體尺寸不斷縮小,使其製程難度日益增加,讓其發展方向從二維轉向三維;由於LED功率不斷提高,以往的LED固晶方式無法滿足其需求,讓目前使用的構裝方式面臨考驗。本研究即使用新的構裝方式-固液擴散接合,利用鍍上一高熔點、一低熔點金屬薄膜,使其在低熔點金屬液化時即可反應成高熔點介金屬化合物,以達到低溫接合高溫應用的目的。 本研究第一部分即利用Sn薄膜作為低熔點金屬,晶片端的Cu及引腳架端的Ag作為高熔點金屬,來進行反應接合LED晶片,並研究各溫度及接合時間之試片的介金屬成長情形及接點強度。 本研究第二部分為利用固液擴散接合法進行3D-IC之構裝,此部分亦使用Cu/Sn系統作為主要材料,並且針對接合界面所產生的孔洞進行補強,方法為利用電鍍一層銀薄膜,使其在接合時形成Ag3Sn,即可達到填補因另一不平坦介金屬所產生之孔洞的目的。 本研究第一部分結果顯示,使用SLID接合法可達到低溫接合高溫應用的目的,其某些條件之接點強度也達到使用標準,故能使用本接合法來取代以往的LED固晶法,本研究第二部分結果顯示利用銀的介金屬化合物,可有效填補因其他扇貝狀介金屬化合物所造成的孔洞,使接點強度上升。